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英特爾電晶體設計持續創新並提升運算效能
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎報導】   2007年11月14日 星期三

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英特爾公司宣佈推出16款伺服器與高階個人電腦用處理器,這些晶片運用了新電晶體技術,以降低影響未來電腦創新步伐的漏電(electricity leaks)問題。除了提升電腦效能與節約電源之外,這些新處理器完全不使用不利於環保的鉛金屬,並將於2008年停止採用鹵素(halogen)材料。

英特爾創辦人之一的戈登摩爾(Gordon Moore)認為,這些產品代表了四十年來最重要的電晶體設計里程碑,它們是第一批採用以鉿(Hafnium)為基礎的High-k(Hi-k)金屬閘極材質的處理器,其內部含有數億個電晶體。這些Intel Core 2 Extreme處理器與Xeon處理器也率先採用英特爾的45奈米(nm)製程,進一步提升效能並降低耗電量。

由於新處理器這兩項功能上長足的進步,使英特爾得以持續提供更快速、更省電的處理器,對環保更有利。這些突破也讓英特爾設計出較前一代產品尺寸減少25%的新產品,亦比先前產品的成本效益更高–可於明年迎向微型移動裝置(ultra mobile)與消費電子產品「系統單晶片」(system on chip)的相關商機。

英特爾總裁暨執行長歐德寧(Paul Otellini)表示:「英特爾團隊的出眾才智、物理研究與設計能力投入解決業界最艱鉅的挑戰令人讚嘆,我在此恭賀英特爾團隊這項突破性的成就。最棒的是,此一重大成就搭配英特爾領先業界的架構,意味著更快速、外型更輕巧、電池續航力更長與電源效率更佳的電腦即將出現。英特爾的目標為提供新類型電腦給消費者,以更小、更便於攜帶的尺寸提供豐富的網路經驗。」

新45奈米(1奈米為10億分之一公尺)處理器的電晶體密度幾達先前65奈米晶片的兩倍,因此四核心處理器內具有高達8億2千萬個電晶體,全數採用了英特爾的新電晶體技術。

關鍵字: 微處理器  SOC  英特爾(Intel, INTEL, intelIntel(英代爾, 英特爾Paul Otellini(歐德寧微處理器 
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