國際整流器公司 (International Rectifier)，推出全新500V L系列HEXFET功率MOSFET，當中的快恢復本體二極管能在零電壓開關 (ZVS) 電源中可靠地操作，特別適合輕負載環境。新元件的問世使IR用於ZVS電源的MOSFET系列更加充實，應用範圍涵蓋電信及其他高階開關式電源系統。對於需要無間斷運作而寬載擺幅 (Wide Load Excursion) 又非常普遍的行業，解決元件故障問題更是當務之急。

500V MOSFET

IR最新的L系列MOSFET，能節省用於常規設計的串聯肖特基和反並聯高壓二極管，有助減低部件數量、簡化印刷電路板設計、降低整體損耗和改善功率密度。

零電壓開關正逐漸成為高電流電源系統中首選的電源設計技術。配備ZVS電路的電源系統能在高頻下展現高效率操作，也可降低被動元件數量和提高功率密度。

IR表示，當MOSFET應用於在250kHz或以下頻率操作的ZVS電路，本體二極管的逆向恢復特性便成為關鍵，特別是在MOSFET導通時間較短的輕負載情況下。只有當內建本體二極管完成逆向恢復週期，MOSFET才能抵抗橫跨汲極和源極的電壓。內建本體二極管的逆向恢復時間對最小工作週期往往有直接影響。

IR的L系列MOSFET是專為ZVS應用而設，其本體二極管特性經由全新改良，逆向恢復時間 (Trr max) 低至250ns，縮短將近70%。這是同業之中最佳的逆向恢復時間。此外，它們的二極管逆向恢復電荷 (Qrr) 亦減低了70%以上，有助降低開關損耗；二極管峰值恢復 (dV/dt) 免疫效能亦較現有標準元件高出3倍以上。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「市場上大部分MOSFET都因應硬開關電路進行最佳化，在某些操作環境下未能用於ZVS電路。全新L系列MOSFET的本體二極管特性正可針對現有ZVS應用的需要，提供最佳選擇。」

當內建本體二極管處於導通狀態，MOSFET會隨即啟動，實際上已消除了ZVS架構電源設計中的導通損耗。隨著開關損耗和功率轉換元件的整體損耗大幅降低，開關式電源 (SMPS) 可在更高頻率下操作，從而縮減變壓器和電容器等被動元件的尺寸，提升功率密度。正當業界積極尋求可在相同或更小面積上達致更高效率和功率輸出的技術，ZVS也變得更為普及。