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美高森美針對大功率收發開關應用最佳化PIN二極體開關元件
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2016年02月18日 星期四

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美高森美公司(Microsemi)發佈新型大功率單片式微波表面黏著(MMSM)串-並聯SP2T PIN二極體反射開關MPS2R10-606。這款器件針對磁共振成像(MRI)接收陣列和應答器、軍用、航空航太和航海無線電通訊等應用中高頻(HF)、極高頻(VHF)和超高頻(UHF)的大功率收發組件(T/R)而最佳化。美高森美提供優質PIN二極體產品以克服射頻(RF)電源、小訊號開關和接收器功率受限的嚴苛挑戰,已經累積了五十年的獨特經驗;而MPS2R10-606即充分利用到了此一優勢。

可處理 100 MHz至 1 GHz 的100W 連續波功率之單片式微波表面黏著SP2T開關
可處理 100 MHz至 1 GHz 的100W 連續波功率之單片式微波表面黏著SP2T開關

美高森美新型MPS2R10-606開關提供從100MHz至1 GHz的頻率覆蓋範圍,插入損耗為0.2dB,回波損耗為15dB,而頻帶中心的隔離性能則為55dB。只要利用簡單的類比控制電壓即可讓此器件實現500 奈秒(nS)的開關速度,同時處理高達100 W的連續波(CW)功率。MPS2R10-606採用緊湊的非磁性2.03 mm x 1.27 mm格式供貨,符合EU指令2002/95/EC的危害物質限用指令(RoHS)之要求,並與貼裝和表面黏著技術(SMT)回流焊製造技術完全相容。

美高森美RF/微波離散產品業務部門高級總監兼部門經理Vincent Cannistraro表示:「我們的MRI和通訊射頻客戶需要更高等級的功能整合度,同時還要縮小外形尺寸,從而推動了市場對於具有更高密度、功能性和性能的PIN二極體開關的需求。這款採用緊湊型MMSM封裝尺寸的新型PIN二極體開關技術,是此一領域中的關鍵推動力量;相較於傳統的砷化鎵(GaAs)、金屬半導體場效應電晶體和silicon-on-SOI解決方案,可以實現功率水準更高的設計。」

此外,MPS2R10-606技術支援公共安全、航空、船舶和軍用手持和機架安裝無線電硬體(JTRS),對於打擊各種國際和國內威脅而言,這是十分重要的特性。由於美高森美的PIN二極體MMSN開關無磁性,因此具有實施MRI接收陣列所需要的高密度和高性能。

根據市場研究機構Strategy Analytics最新的調查報告指出,陸上軍用無線電市場將於2024年達到65億美元,而美高森美MPS2R10-606器件結合了尺寸緊湊、開關速度快和高CW功率的處理能力,適用於此一不斷增長的市場。

美高森美將繼續開發先進的PIN二極體產品,目前可提供全面廣泛的RF和微波砷化鎵(GaAs)及矽PIN二極體產品,範圍包括能夠實現高達40 GHz開關速度的超低結電容(Cj)電子束PIN二極體,直至能夠處理60dBm CW功率的大功率PIN二極體。這些為低互調(intermodulation)開關和衰減而設計的PIN二極體產品涵蓋各式各樣的應用,包括行動和固定通訊系統、至Ka-band頻率雷達系統、寬頻電子戰(EW)系統、測試儀錶、MRI系統、蜂巢基地台、軟體定義無線電(SDR)、T/R開關控制和雙工器。美高森美PIN二極體提供裸片、倒裝晶片、電子束引腳(beam-lead)、帶狀線(stripline)、玻璃軸向、塑膠、陶瓷、低磁性、密封、晶圓級和表面黏著選項。

美高森美MPS2R10-606採用緊湊且高度整合的2.03 mm x 1.27 mm晶圓級格式供應,符合RoHS標準要求,並提供鍍金端子。(編輯部陳復霞整理)

產品特色

‧ 100W CW 功率處理能力

‧ 低插入損耗:0.2 dB

‧ 高隔離性能:55 dB

‧ 低回波損耗:15 dB

‧ 高開關速度:500 nS

‧ 穩定的低洩漏鈍化及堅固的玻璃體

關鍵字: 二極體反射開關  大功率  單片式  微波表面黏著  MMSM  PIN  美高森美  Microsemi  系統單晶片 
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