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IR全新基準MOSFET提升60%封裝電流額定值
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2008年12月22日 星期一

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國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出具備高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列,適用於工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。

全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列
全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

新元件的封裝電流額定值達到195A,較典型封裝電流額定值高出60%。新MOSFET並比先前的產品有更佳的導通電阻 (RDS(on)),以及提供普及的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外,7 接腳D2PAK封裝的封裝電流額定值達到240A的卓越水平,使它成為市場上最穩固的黏貼封裝之一。這種7接腳D2PAK封裝更比D2PAK進一步降低RDS(on)。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:「這些封裝提供的更高電流額定值有助從不需要的暫態提供更多防護頻帶,且能讓有數枚MOSFET分享高電流的平行型拓樸可以減少元件數目。」

全新N通道MOSFET系列提供60V至200V電壓,並達到工業級別及MSL1標準。新元件均不含鉛及符合電子產品有害物質管制指令(RoHS)。

關鍵字: MOSFET  電流額定值  IR 
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