高溫半導體方案供應商CISSOID日前宣佈，推出新款雙通道高溫40V N型金氧半場效電晶體（N-channel MOSFET）CHT-MOON。

CISSOID新款N型MOSFET高溫可達225°C BigPic:395x250

CISSOID表示，該款採表貼、小型、密封式陶瓷SOIC16封裝。此新元件可幫助設計者達到最高的系統密度，它可開關高達2安培電流及提供與其他CHT產品一樣，是一個可於-55°C至+225°C連續操作的解決方案。

此款命名為＂月球＂的產品，是CISSOID高溫高可靠性電晶體及開關的星球產品家族之一，當雙通道N型MOSFET同時用到開關式電源及馬達驅動時，小型的CSOIC16封裝以及引腳排列方法，己經為了減低寄生電感及寄生電容作出優化。

CHT-MOON在高溫225°C時，閘極漏電流保持低於100nA（納安），柵極切斷電流不會超過3.5uA（微安），開動延遲時間只是30ns（納安）。導通電阻是0.4 Ω（歐姆）及輸入電容是370pF。CHT-MOON現可提供陶瓷SOIC16封裝樣品及測試。