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Diodes新款碳化矽MOSFET符合車規 可提升車用子系統效率
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨報導】   2023年07月19日 星期三

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Diodes公司推出兩款符合汽車規格的碳化矽 (SiC) MOSFET—DMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q,進一步強化寬能隙 (Wide-Bandgap) 產品陣容。此系列N通道MOSFET產品可滿足市場對SiC解決方案不斷成長的需求,提升電動與混合動力汽車 (EV/HEV)車用子系統的效率及功率密度,例如電池充電器、車載充電器(OBC)、高效DC-DC轉換器、馬達驅動器及牽引變流器。

Diodes公司推出兩款符合汽車規格的碳化矽 (SiC) MOSFET,可提升電動與混合動力汽車 (EV/HEV)車用子系統的效率及功率密度。
Diodes公司推出兩款符合汽車規格的碳化矽 (SiC) MOSFET,可提升電動與混合動力汽車 (EV/HEV)車用子系統的效率及功率密度。

DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS範圍內安全可靠地運作,其閘極-源極 (Gate-Source) 電壓 (Vgs) 為 +15/-4V,且在15Vgs時具有 75m? (典型值) 的 RDS(ON) 規格。此裝置適用於 OBC、汽車馬達驅動器、EV/HEV中的DC-DC轉換器以及電池充電系統。

DMWSH120H28SM4Q可在最高1200VDS、+15/-4Vgs 的條件下運作,且在 15Vgs時具有較低的20mΩ (典型值) RDS(ON) 。此 MOSFET適用於其他EV/HEV子系統中的馬達驅動器、EV牽引變流器及DC-DC轉換器。憑藉低 RDS(ON) 的特性,在需要高功率密度的產品應用中,此系列MOSFET能以較低的溫度運作。

這兩款產品均有低導熱率 (RθJC=0.6°C/W),DMWSH120H90SM4Q的汲極電流高至40A,DMWSH120H28SM4Q 的汲極電流高至100A。此系列也內建快速且穩健的本體二極體,具有低反向復原電荷 (Qrr),在 DMWSH120H90SM4Q中為108.52nC,在DMWSH120H28SM4Q中為 317.93nC,能夠執行快速切換並降低功率損耗。

此系列裝置採用TO247-4 (WH型)封裝,提供額外的凱氏感測 (Kelvin-sensing) 接腳。DMWSH120H90SM4Q與DMWSH120 H28SM4Q均符合AEC-Q101標準。

關鍵字: MOSFET  Diodes 
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