帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Diodes推出新型MOSFET H橋元件
 

【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑報導】   2009年07月02日 星期四

瀏覽人次:【2224】

Diodes公司推出四款H橋MOSFET封裝,為空間有限的應用減少元件數量和PCB尺寸,顯著簡化DC散熱扇和CCFL反相器電路的設計。

Diodes新型MOSFET H橋元件,實現DC散熱扇和反相器設計。
Diodes新型MOSFET H橋元件,實現DC散熱扇和反相器設計。

Diodes亞太區技術市場總監梁後權指出,ZXMHC零件採用SO8封裝,設有兩對互補型N和P通道MOSFET,可以取代四個分立的SOT23封裝MOSFET或兩個SO8互補型MOSFET封裝。它們適用於目前不同類型的馬達或其他電感負載驅動裝置,可以節省至少一半的PCB佔位面積,並大幅降低整體存貨成本。

ZXMHC3A01N8和ZXMHC3F381N8兩款30V的H橋元件,可以於12V DC散熱扇和反相器應用中派上用場,提供低通態電阻性能選擇。60V額定ZXMHC6A07N8和100V額定ZXMHC10A07N8分別專用於24V DC和48V DC馬達控制電路。

關鍵字: MOSFET  Diodes  梁後權  電源元件 
相關產品
Diodes新款高電壓霍爾效應晶片符合汽車規格
Littelfuse推出高頻應用的雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器
Diodes新款12通道LED驅動器可提升數位看板和顯示器效能
ROHM推出車電Nch MOSFET 適用於車門座椅等多種馬達及LED頭燈應用
Diodes新款10Gbps符合車規的主動交叉多工器可簡化智慧座艙連接功能
  相關新聞
» 應材於新加坡舉行節能運算高峰會 推廣先進封裝創新合作模式
» SEMI:2024年Q3矽晶圓出貨量增6% 終端應用發展冷熱不均
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力
  相關文章
» 自走式電器上的電池放電保護
» 未來無所不在的AI架構導向邊緣和雲端 逐步走向統一與可擴展
» PCIe效能滿足功耗敏感性裝置與關鍵任務應用
» 汽車外部照明LED控制系統進展
» 瞭解熱阻在系統層級的影響

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.119.124.52
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw