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Diodes推出新型MOSFET H橋元件
 

【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑報導】   2009年07月02日 星期四

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Diodes公司推出四款H橋MOSFET封裝,為空間有限的應用減少元件數量和PCB尺寸,顯著簡化DC散熱扇和CCFL反相器電路的設計。

Diodes新型MOSFET H橋元件,實現DC散熱扇和反相器設計。
Diodes新型MOSFET H橋元件,實現DC散熱扇和反相器設計。

Diodes亞太區技術市場總監梁後權指出,ZXMHC零件採用SO8封裝,設有兩對互補型N和P通道MOSFET,可以取代四個分立的SOT23封裝MOSFET或兩個SO8互補型MOSFET封裝。它們適用於目前不同類型的馬達或其他電感負載驅動裝置,可以節省至少一半的PCB佔位面積,並大幅降低整體存貨成本。

ZXMHC3A01N8和ZXMHC3F381N8兩款30V的H橋元件,可以於12V DC散熱扇和反相器應用中派上用場,提供低通態電阻性能選擇。60V額定ZXMHC6A07N8和100V額定ZXMHC10A07N8分別專用於24V DC和48V DC馬達控制電路。

關鍵字: MOSFET  Diodes  梁後權  電源元件 
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