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IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2009年05月06日 星期三

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國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出一系列新型邏輯電平閘極驅動溝道HEXFET功率MOSFET,它們具有基準通態電阻(RDS(on))及高封裝電流額定值,適用於高功率DC馬達和電動工具、工業用電池及電源應用。

新型邏輯電平溝道MOSFET
新型邏輯電平溝道MOSFET

最新的基準MOSFET系列採用了IR最新的溝道技術,在4.5V Vgs下擁有相當低的RDS(on),溫度效率顯著得到改善。此外,新元件更高的電流額定值,從多餘的瞬變提供更多防護頻帶,並減少並行類拓樸的元件數目。這類拓樸由幾個MOSFET共用高電流。藉著高達195A的封裝電流額定值,產品的TO-220、D2PAK和TO-262封裝較典型封裝能夠改善超過60%的額定值;與標準D2PAK相比,7引腳D2PAK也進一步減低多達16%的RDS(on),提供更多完善的選擇。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示,新推出的邏輯電平閘極驅動溝道MOSFET備有基準RDS(on),能夠由微型控制器或弱電池驅動,提升在輕負載狀態下的效率。這些新元件非常適合高電流DC-DC轉換和DC馬達驅動應用。

新邏輯電平溝道MOSFET系列的電壓範圍由40V至100V。它們已得到工業級和MSL1濕氣敏感度認可,更具備所有標準功率封裝,包括TO-220、D2PAK、TO-262,以及7引腳D2PAK。新元件不含鉛並符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)。

關鍵字: MOSFET  IR 
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