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IR 150V和200V MOSFET可提供非常低閘電荷
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2009年08月19日 星期三

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國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,為包括開關模式電源(SMPS)、不斷電系統(UPS)、反相器以及DC馬達驅動器等工業應用,提供非常低的閘電荷(Qg)。

150V和200V MOSFET
150V和200V MOSFET

與其他競爭元件相比,IR 150V MOSFET提供的總閘電荷低多達59%。至於新款200V MOSFET的閘電荷,則比競爭元件的低多達33%。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示,隨著DC-DC功率轉換應用技術日益進步,開關頻率也有所提高,輸入電容和閘電荷在整體效率方面擔當起重要的角色。開關損耗的多少對快速開關電路來說是關鍵的問題。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對這個挑戰作出最佳化,適合作為電訊應用中隔離式DC-DC轉換器的主要開關,又或者在任何先進的DC-DC應用中推動輕負載效率。

這些新款MOSFET達到工業級別及第一級濕度感應度(MSL1)。它們採用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝,全部皆為無鉛設計,並符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)指令。

關鍵字: MOSFET  IR 
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