為了滿足移動設備製造商多樣化和不斷變化,必須解決電源管理方面的需求,Magnachip半導體發布兩款第七代 MXT 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET),內置超短通道技術可用於智慧型手機中的電池保護電路模組。
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Magnachip半導體發布兩款第七代 MXT MOSFET,內置超短通道技術可用於智慧型手機中的電池保護電路模組。 |
Super-Short Channel是Magnachip的最新設計技術,可縮短源極和漏極之間的溝道長度,從而顯著降低RDS(on)和導通狀態下的導通損耗。 Magnachip率先將此技術應用於新發布的12V MOSFET(MDWC12D028ERH)和24V MOSFET(MDWC24D031ERH)。
得益於超短通道技術,這些新型 MOSFET 的尺寸減小20%,而 MDWC12D028ERH 和 MDWC24D031ERH 的 RDS(on) 與之前的版本相比分別降低 40% 和 24%。 憑藉這些增強的產品功能,電池充電或放電時的功率損耗減少,並且可以保持較低的工作溫度以實現快速電池充電。
Magnachip 計劃在 2023 年下半年發布用於智慧手錶和耳機等可穿戴設備的小型電池的具有高功率效率的緊湊型超短通道 MXT MOSFET。