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德州儀器發表NexFET Power Block解決方案
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2010年06月14日 星期一

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德州儀器(TI)於日前宣佈,推出一款可在25 A電流下實現超過90%高效率的MOSFET ,體積為同類競爭功率MOSFET的50%。TI全新CSD86350Q5D Power Block透過先進的封裝技術, 將2個非對稱的NexFET功率MOSFET整合,為伺服器、桌上型電腦與筆記型電腦、基地台、交換器、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實現高效能。

TI - CSD86350Q5D Power Block
TI - CSD86350Q5D Power Block

TI表示,NexFET Power Block除提高效率與功率密度外,還能以高達1.5 MHz的開關頻率生成高達40 A的電流,可有效降低解決方案尺寸與成本。優化的接腳佈局(pinout)與接地導線架(grounded lead frame)可明顯縮短開發時間,改善整體電路效能。此外,NexFET Power Block還能以低成本實現與GaN 等其他半導體技術相當的效能。

關鍵字: NexFET Power Block  TI(德州儀器, 德儀
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