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南亞科技DDR3通過英特爾Intel Centrino 2認證
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎報導】   2008年04月02日 星期三

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南亞科技宣佈其1066MHz DDR3 So-DIMM筆記型記憶模組已獲得Intel Centrino 2 行動運算平台認證。

南亞科技1066MHz DDR3 So-DIMM筆記型記憶模組
南亞科技1066MHz DDR3 So-DIMM筆記型記憶模組

南亞科技全球業務行銷副總經理暨發言人白培霖博士表示:「南亞科技低耗電DDR3筆記型電腦專用記憶體能獲得英特爾認證,足以證明南科DDR3優異的運算及繪圖表現,已為日益成長的筆記型電腦市場提供最佳的記憶體解決方案。」

英特爾公司數位企業事業群產業計畫與策略規劃部門總監Ali Sarabi表示:「英特爾2008年即將推出的行動運算平台,將搭載新一代高寬頻低耗電量DDR3記憶體,我很榮幸南亞科技DDR3 So-DIMM筆記型記憶體模組能通過英特爾的測試。」

南亞科技1066MHz DDR3 So-DIMM筆記型記憶模組可支援PC3-6400到PC3-8500,使用時序為7-7-7,將能有效強化英特爾Intel Centrino 2 行動運算平台。此外,作為一專業的記憶體解決方案,南科DDR3的設計符合大量繪圖及高傳輸速率的需求,因此能加快中央處理器資訊傳輸的速度,所以每一條高效節能的南科DDR3記憶體模組,皆能滿足專業玩家對極致效能的追求。此次通過認證之DDR3 So-DIMMs筆記型記憶模組是以 DDR3 1Gbit為基礎元件,由南亞科技和其合作夥伴奇夢達共同開發。

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