在高畫質緊湊型主動橋式應用中（如網路攝像機）產生過多熱量，可引起圖像畫質問題。 與之類似，熱雜訊也可能會影響系統的圖像感測元件，進而降低攝像機的畫質。 典型的散熱解決方案透過增加元件數量來調節熱漲落(thermal fluctuations)，這使得本就複雜的設計變得更加複雜，並且使電路板空間變得更加混亂。 美國快捷半導體公司FDMQ86530L 60 V Quad-MOSFET 為設計者提供一體式封裝，有助於解決這些棘手的設計難題。

Quad-MOSFET 解決方案 BigPic:600x600

FDMQ86530L 解決方案由四個 60 V N 通道 MOSFET 組成，採用快捷半導體的 GreenBridge 技術，將功率損失性能提高了十倍，從而改善了傳統二極體電橋的傳導損失及效率。 該元件採用熱性能增強，節省空間的 4.5 x 5.0 mm MLP 12 接腳封裝，無需使用散熱器，實現了緊湊型設計，並在 12 V 及 24 V AC 應用中可提高功率轉換效率。

規格：

1. 最大 RDS(ON) = 17.5 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 8 A

2. 最大 RDS(ON) = 23 mΩ，需 VGS = 6 V、ID = 7 A

3. 最大 RDS(ON) = 25 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 6.5 A

封裝種類與售價資訊（訂購 1,000 個，美元）

按需求提供樣品 － 收到訂單後 8 至 12 週內交貨

FDMQ86530L 產品採用 4.5 x 5.0 mm MLP 12-引腳封裝，售價 1.38美元。

FDMQ86530L 是快捷半導體公司全系列分立式 MOSFET 組合產品的一部分，提供該產品進一步實現了公司的承諾：提供最具創新意義的封裝技術，為當今最先進的系統實現體積最小化、熱性能及效率最大化。