美光科技 (Micron) 於昨（14）日宣布，推出第三代低延遲DRAM 記憶體（RLDRAM 3），其為一種新高頻寬記憶體技術，能更有效率的傳輸網路資訊。

現今影像內容、行動應用和雲端計算不斷演進。因此產生了對更高效網路基礎設施的需求，以支援大量線上資料的傳輸。與前幾代產品相比，美光新的RLDRAM 3記憶體進一步提高了儲存容量和速度，同時將延遲減至最低，並降低功耗，提昇了在網路應用中效能。

美光的DRAM行銷副總裁Robert Feurle表示，隨著網路內容消費的不斷增長，人們日益需要有一種能支援網路流量增長的技術，美光的RLDRAM 3記憶體滿足了這種需求。

該新產品的特點包含其tRC不足10奈秒，可控管較低的隨機存取延時。而在容量上提供576Mb-1Gb的高靈活性，可應用於多種設計。速率上則可達達2133Mb/s，資料存取速度更快，另外在資料存取速度，可達2133Mb/s。

對於現有的RLDRAM 2，美光將繼續提供最高水準的技術支援，並計畫長期生產該產品。此外，美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50nm製程，提高系統效能，降低功耗。