帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
LSI展示新一代12Gb/s SAS RAID單晶片技術
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2011年09月22日 星期四

瀏覽人次:【3638】

LSI近日宣佈,於英特爾開發者論壇(IDF)上展示LSI新一代12Gb/s SAS RAID單晶片(ROC)技術。

於IDF中,LSI展示一款單片8埠12Gb/s SAS單晶片,將該晶片連接至8顆6Gb/s Seagate SAS 2.5英吋硬碟,在 PCI Express 2.0直連式儲存之架構下,運行小型模組連續讀取/寫入作業時,效能可超過100萬IOPS。

透過整合SAS和PCI Express最新增強技術,以及LSI硬體加速引擎,LSI SAS ROC能夠為企業級固態硬碟(SSD)和符合即將推出的PCI Express 3.0規格的伺服器平臺提供所需的I/O效能,以充分發揮其效能優勢。

關鍵字: SAS RAID  LSI 
相關產品
LSI 加速技術創新亞洲高峰會台北登場 引領資料中心變革
LSI展示採用Axxia通訊處理器的Wi-Fi與4G整合方案
LSI推出12Gb/s SAS MegaRAID控制卡與擴充卡
LSI 推全新Nytro系列PCIe快閃記憶體加速卡
LSI與6WIND加速行動基礎架構與資料中心網路效能
  相關新聞
» 應材發表新晶片佈線技術 實現更節能AI運算
» 工研菁英獎6項金牌技術亮相 創新布局半導體、5G及生醫新市場
» SEMICON Taiwan將於9月登場 探索半導體技術賦能AI應用無極限
» 工研院探討生成式AI驅動半導體產業 矽光子與先進封裝成關鍵
» 工研院:製造業趁勢AI年成長6.47% 半導體產值首破5兆
  相關文章
» 未來無所不在的AI架構導向邊緣和雲端 逐步走向統一與可擴展
» 延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構
» 提升供應鏈彈性管理 應對突發事件的挑戰和衝擊
» 專利辯論
» 碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.21.158.224
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw