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東芝推出第二代650V碳化矽肖特基勢壘二極體
具備更高順向浪湧電流

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理報導】   2017年01月13日 星期五

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東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基勢壘二極體(SBD),該二極體將該公司現有產品所提供的順向浪湧電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化矽肖特基勢壘二極體出貨即日啟動。

東芝第二代650V碳化矽(SiC)肖特基勢壘二極體出貨即日啟動。
東芝第二代650V碳化矽(SiC)肖特基勢壘二極體出貨即日啟動。

這些新的碳化矽肖特基勢壘二極體採用東芝的第二代碳化矽製程製造,與第一代產品相比,順向浪湧電流提高了約70%,同時開關損耗指標RON * Qc 降低了大約30%,這使它們適用於高效功率因數校正(PFC)方案中。

這些新產品提供4A、6A、8A和10A 4種額定電流,支援非隔離型TO-220-2L封裝或隔離型TO-220F-2L封裝。這些產品有助於提高4K大螢幕液晶電視、投影機和多功能事務機等裝置以及通訊基地台和電腦伺服器等工業設備的電源效率。

關鍵字: 肖特基勢壘二極體  SBD  碳化矽  SiC  東芝(Toshiba東芝(Toshiba系統單晶片 
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