帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
東芝推出第二代650V碳化矽肖特基勢壘二極體
具備更高順向浪湧電流

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理報導】   2017年01月13日 星期五

瀏覽人次:【3197】

東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基勢壘二極體(SBD),該二極體將該公司現有產品所提供的順向浪湧電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化矽肖特基勢壘二極體出貨即日啟動。

東芝第二代650V碳化矽(SiC)肖特基勢壘二極體出貨即日啟動。
東芝第二代650V碳化矽(SiC)肖特基勢壘二極體出貨即日啟動。

這些新的碳化矽肖特基勢壘二極體採用東芝的第二代碳化矽製程製造,與第一代產品相比,順向浪湧電流提高了約70%,同時開關損耗指標RON * Qc 降低了大約30%,這使它們適用於高效功率因數校正(PFC)方案中。

這些新產品提供4A、6A、8A和10A 4種額定電流,支援非隔離型TO-220-2L封裝或隔離型TO-220F-2L封裝。這些產品有助於提高4K大螢幕液晶電視、投影機和多功能事務機等裝置以及通訊基地台和電腦伺服器等工業設備的電源效率。

關鍵字: 肖特基勢壘二極體  SBD  碳化矽  SiC  東芝(Toshiba東芝(Toshiba系統單晶片 
相關產品
東芝小型光繼電器適用於半導體測試儀中高頻訊號開關
英飛凌擴展1200V 62mm IGBT7產品組合 推出全新電流額定值模組
東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化
東芝推出600V小型智慧功率元件適用於無刷直流馬達驅動
東芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工業設備效率
  相關新聞
» 工研院秀全球最靈敏振動感測晶片 可測10奈米以下振動量
» 安立知以全方位無線通訊方案引領探索6G時代
» 再生能源成長創新高 但發展程度並不平均
» 意法半導體突破20奈米技術屏障 提升新一代微控制器成本競爭力
» Pure Storage攜手NVIDIA加快企業AI導入 以滿足日益成長的需求
  相關文章
» 使用Microchip Inductive Position Sensor(電感式位置感測器)實現高精度馬達控制
» 以霍爾效應電流感測器創新簡化高電壓感測
» ESG趨勢展望:引領企業邁向綠色未來
» 智慧家居大步走 Matter實現更好體驗與可靠連結
» 車載軟體數量劇增 SDV硬體平台方興未艾

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.52.91.84.219
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw