意法半導體（STMicroelectronics, ST）推出新款M系列 650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷且經濟實惠的能效解決方案，適用於暖通空調系統（HVAC）馬達驅動器、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有硬開關（hard-switching）電路拓撲20kHz功率轉換應用。

意法半導體的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉換應用的能效

採用意法半導體的第三代溝槽式場截止型（trench-gate field-stop）低損耗製程，M系列IGBT擁有一個全新溝槽／通道閘（trench gate）和特殊設計的P-N-P垂直結構，能在導通損耗和開關損耗之間找到了最佳平衡點，從而最大幅地提升電晶體的整體性能。在攝氏150度初始接面溫度時，最小短路耐受時間為6us，攝氏175度最大工作接面溫度及寬安全工作範圍有助於延長元件的使用壽命，同時提升對功率耗損有極高要求的應用可靠性。

此外， 新產品封裝亦整合了新一代穩流二極體（Free-wheeling Diode）。新款二極體提供快速恢復功能，並同時保持低正向電壓降及高軟度。此項設計不僅可實現優異的EMI保護功能，還能有效降低開關損耗。正VCE(sat)溫度係數結合緊密的參數分佈，使新產品能夠安全平行，並滿足更大功率的要求。

最新發佈的M系列擁有10A及30A兩種可選額定電流，提供各種功率封裝選擇，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL長針腳封裝，與意法半導體針對高頻工業應用所研發的HB系列650V IGBT（高達60 kHz）相互補足。新產品已開始量產。(編輯部陳復霞整理)

產品特色

‧650V IGBT，大部分的競爭產品都是600V；

‧低VCE(sat) (1.55V @25°C)電壓，能夠最大幅度地降低導通損耗；

‧出色的穩健性，擁有廣泛的寬安全工作範圍以及無鎖定效應（latch-free operation）；

‧最佳化的Etot - Vce(sat) 平衡比；

‧攝氏175度最大工作接面溫度；

‧高溫下的短路耐受時間最短6us；

‧電壓過衝非常有限，確保關機期間零振盪