美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二極體產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片。

美高森美將參展六月五日至七日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展位展示這些SiC解決方案以及SiC SBD/MOSFET產品系列中的其他最新器件。

美高森美繼續擴大其SiC產品系列的開發工作，已經成為向市場提供一系列Si和SiC的離散式和功率模組解決方案的少數供應商之一。

這些新一代SiC MOSFET器件非常適合工業 和汽車市場中的多種應用，包括混合動力車(HEV)/電動車(EV)充電、插電/感應式車載充電器(OBC)、DC-DC轉換器和電動車動力系統/牽引控制。它們也可用於醫療、航太、國防和 資料中心應用中的開關模式電源、光伏(PV)逆變器和馬達控制。

美高森美副總裁兼功率離散式器件和模組業務部門經理Leon Gross表示：「對於電動車充電、DC-DC轉換器、動力系統、醫療和工業設備以及航空驅動等應用，若要SiC解決方案快速獲得採用，這些系統中使用的元器件必須具有較高效率、安全性和可靠性水準。美高森美的下一代SiC MOSFET和SiC二極體系列將會通過AEC-Q101資質認證以確保高可靠性水準，而且其高重複性無箝制感應開關(UIS)能力在額定電流下不會出現退化或失效，可見其穩健性。」

市場研究機構Technavio指出，用於全球半導體應用的SiC市場預計在二○二一年前達到大約5.405億美元，年複合增長率(CAGR)超過百分之十八。該公司還預測二○二一年前全球汽車半導體應用SiC器件市場的年複合增長率將達到百分之二十左右。美高森美在這些發展趨勢中處於有利地位，其SiC MOSFET和蕭特基勢壘二極體器件具有高短路耐受能力的額定雪崩性能，能夠實現穩健工作，並具有充足功能來滿足這些不斷增長的應用趨勢。

與競爭Si/SiC二極體/MOSFET和IGBT解決方案相比，美高森美下一代1200 V、25/40/80 mOhm SiC MOSFET器件和裸晶片，以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件均具有對客戶極具吸引力的巨大優勢，包括可在更高的開關頻率下實現更高效的開關運作，以及更高的雪崩/UIS額定值和更高的短路耐受額定值，從而實現穩健可靠的運作。例如，SiC MOSFET器件的開發重點是平衡特定導通電阻、低柵極電阻和熱阻，以及低柵極閾值電壓和電容，從而實現可靠的工作。這些器件針對高良率製程和低溫度範圍參數變化而設計，在高接面溫度(175°C)下以更高的效率(相比Si和IGBT解決方案)工作，能夠擴展HEV/EV及其他應用中的電池系統。

這些新器件樣品正在進行AEC-Q101認證，並已通過了其中的高溫反向偏壓(HTRB)和時間依賴性介質擊穿(TBBD)測試，證明可提供出色的柵極完整性和高柵極良率。

其他主要特性包括：比競爭SiC MOSFET和GaN器件高出1.5倍至2倍的出色UIS能力，實現雪崩穩健性；比競爭SiC MOSFET器件高出1.5倍至5倍的高短路額定性能，實現更穩健的工作；針對中子敏感應，在額定電壓下的失效時間(FIT)較同類Si IGBT器件降低十倍；性能與中子輻照有關的SiC競爭產品相當；以及與Si器件相比，SiC器件具有更高的功率密度，充許尺寸更小的磁性元件/變壓器/直流母線電容器和更少的散熱元件，從而實現更緊湊的外形尺寸，降低整體系統成本。