國際整流器(IR)14日發表兩套20V HEXFET功率MOSFET系列產品，能提升12V 輸入端DC-DC轉換器的效率達4%。新型 20V IRF3711 與 20V IRF3704系列裝置專為多相位降壓轉換器(multiphase buck converters)所設計，支援新一代GHz級的微處理器，如應用在高階桌上型電腦與伺服器的Intel(r) Pentium(tm) 4 與AMD( Athlon處理器。

產品與效能圖示(廠商提供)

這兩款新型的20V MOSFET適合應用於電信與資料通訊設備，並採用分散式電源架構的12V Vin的非絕緣式降壓轉換器（buck converters）。

先進的多相位降壓轉換器在每個相位中通常需要兩組MOSFET、同步式FET、以及控制端FET。設計人員可充分利用兩款元件的優點，並依照不同的實際應用情形將RDS(on) 參數如閘電荷(gate charge)和輸出電容(output capacitance (Coss)) 設定在最佳化的狀態。20VDSS IRF3711系列專為同步FET應用設計，能提供最佳的效能；而20V IRF3704系列則能為控制端FET提供最佳的效能。這款新型元件的20V最大功率能提供12V輸入端同步降壓轉換器足夠的安全極限（safety margin），並能提升運作的效能。

IR產品管理部副總裁Mr. Gene Sheridan表示：「 IR新型20V MOSFET能降低導通、切換、驅動、以及輸出電容等所產生的功率損耗，與傳統30V MOSFETs相較，在12V輸入端同步降壓轉換器應用上更能提供更優異的效率。」

在桌上型電腦與伺服器環境中，未經處理的AC輸入電源使用傳統的AC-DC變壓器轉換成12V DC的輸出電源。12V DC的輸入電源隨即再經過同步降壓轉換器進行降壓，提供給CPU使用。同步降壓轉換器需要高效率的電力元件，方能支援現今GHz級處理器，提供超級純淨的DC電源。

例如，若製造商將支援Pentium 4系統的雙相位降壓轉換器（two-phase buck converter）中的30V MOSFETs元件，更換成IR新推出的20V 同步式FET (IRFR3711) 與20V 控制端FET ( IRFR3704)之後，測試結果顯示系統效能可提升4%。改良後的電路若採用IR的專屬應用MOSFET，在220kHz時脈、輸出1.7V 與每相位20 安培的環境下，可將整體效率提高至78%。

Mr. Sheridan接著指出：「在20 安培的環境下提高4%的效率是相當卓越的成就。由於電路板的空間限制是首要的考量因素，故電源管理系統必須在相同甚至是更小的元件中提供更高的效率。」

在相同的雙級(two-stage)降壓轉換器，當時脈提高至410kHz時，IR的MOSFET在最高負載時可將效率提高至74%，而其它競爭廠商的產品在這種條件下卻可能會產生散熱不良的狀況。