全球供電產品廠商國際整流器(IR)，推出IR1176應用同步整流IC專用的參考設計－IRDCSYN2。新型IR1176元件的輸出電壓低至1.5V，能大幅簡化及改善隔離式DC-DC轉換器的設計，提供電信及寬頻網路伺服器源源不絕的動力。配合IR以HEXFET驅動的DC-DC轉換器功率MOSFET （如IRF7822），IR1176更能提高1.5V及1.8V DC-DC轉換器的效率。在40A電流、48V輸入的環境下，全新同步整流IC在1.8V及1.5V輸出電路上，能夠達到86% 和85% 的內電路效率；同時能妥善控制柵驅動電路（gate drive circuits），減低次級（secondary-side）隔離式DC-DC轉換器同步整流MOSFET的功率損耗。

IR表示，IR1176是一種用於驅動N通道（N-channel）功率MOSFET的高速CMOS控制器，能在輸出電壓相等或低於5V的高電流、高頻率正向轉換器（forward converters）中，作為同步整流器使用。Schmitt觸發器 （trigger）輸出裝置配備雙脈衝功能 (double pulse suppression)，在noisy環境下也能正常運作。電路不須連接初級（primary-side） MOSFET，可從次級MOSFET直接操作。

IR又指出，IR1176能預測變壓器輸出轉換（transformer output transitions），在進行有關轉換前，開啟或關閉功率MOSFET，並將本體露極二極管傳導（body drain diode conduction）降至最低，並降低相關的耗損。配合不同種類功率MOSFET的體積及電路狀態，開關前置時間（turn on/off lead time） 可適度調節，以發揮最大效能。此外，IR1176透過外部元件提供柵驅動重疊（gate drive overlap）或dead-time control，並藉由次級迴路（secondary loop）及元件封裝電感（device package inductance）的零效應，進一步減低二極管傳導（diode conduction）。

IR又進一步表示，工程師可因應不同應用需要，調整IRDCSYN2參考設計，開發出最終的設計，並可節省將電路開發時間多達四星期。IRDCSYN2參考設計電路板的電壓為3.3V DC，輸出電流為20A，效率高達90%。這款參考設計擁有全功能的同步整流電路、完整的物料表（BOM）、原理圖、應用說明及Gerber檔案。參考設計電路板的體積為 8.25 cm × 6.86 cm × 1.9 cm。