富士通於日前宣佈，推出以0.18 µm技術為基礎之全新SPI FRAM產品家族，包括MB85RS256A、 MB85RS128A和MB85RS64A此3款型號。FRAM技術將SRAM的快速讀寫，與非揮發性快閃記憶體等優勢都整合至一顆晶片。此款全新SPI FRAM系列MB85RSxxx包括3款型號：MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A，分別代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三個密度等級。此3款晶片的工作電壓範圍介於3.0 ～ 3.6V，可承受讀寫週期達一百億次，並能將資料保存在55°C的環境下長達10年，且其工作頻率已大幅提高至最大25MHz。

因為FRAM產品在寫入的處理過程中不需要電壓增壓器，因此很適合低功率應用。另外，該產品亦提供具有標準記憶體針腳配置的8針腳塑膠SOP封裝，並可完全與E2PROM晶片相容。富士通半導體將本身豐富的開發和製造經驗運用於最佳化整合晶片設計和生產工廠之間最緊密的合作關係，這些優勢將能為提供給市場的眾多豐富及高品質產品打造最堅實的基礎，並兼具穩定的供應鏈。

富士通半導體除了推出SPI FRAM系列，還提供具備I²C和並列介面的FRAM獨立晶片，其密度等級從16Kbit至4Mbit皆備。此外，富士通半導體正計畫進一步擴充其FRAM產品陣容以滿足更多的市場需求。