Microchip（微芯科技）發布SST26WF080B 和 SST26WF040B新元件，擴展旗下1.8V四個串列式 I/O（SQI）SuperFlash記憶體家族。新元件備有4Mb及8Mb的儲存容量，採用Microchip高性能SuperFlash技術製造，可提供最快的抹除時間和可靠性。

/news/2015/01/20/1127042380S.jpg

由於採用了SuperFlash技術，SST26WF080B/040B新元件的抹除速度比所有其他同類元件都要快。區段和區塊抹除命令在短短18毫秒內即可完成，而執行一個完整的晶片抹除動作也只需要35毫秒。同類元件需要5-15秒的時間才能完成一個完整的晶片抹除操作。相較之下，SST26WF080B/040B的抹除速度要比同類型元件快近300倍。由於最大限度地減少了測試和硬體更新所需的時間，新元件最快速的抹除性能可為客戶顯著節約成本，並大幅提高產能。

新元件的SQI介面是一個104 MHz的高速四個串列式I/O介面，即使是低接腳數封裝也可實現高輸送的資料量。該介面備有低延遲就地執行（XIP）功能，使得程式可以直接在快閃記憶體內儲存和執行而無需在RAM元件上進行程式碼映射。與x16位址線並列式快閃記憶體元件相比較，SST26WF080B/040B的資料存取速度更快，且沒有並列式快閃記憶體相關的高成本和高接腳數。此外，該SQI介面還提供完整的命令集，可向後相容支援傳統的串列式周邊介面（SPI）的協定。

SST26WF080B/040B專為低功耗設計，有助於最大限度地延長可?式供電應用中電池的壽命。新元件在待機模式下的典型電流消耗僅為10 uA，而深度掉電模式下的典型電流消耗更進一步降低至1.8 uA。在104MHz讀取動作時其典型電流為15 mA。1.8V低功耗操作與小尺寸封裝相結合，無疑令SST26WF080B/040B成為包括手機、藍牙耳機、GPS、攝影鏡頭模組、助聽器和其他電池供電設備在內各種應用的最佳選擇。

SST26WF080B/040B擁有高品質和可靠性，資料保存時間長達100年，且可抹/寫次數超過10萬次，耐用性極高。此外，其安全性也得到進一步增強，包括針對各獨立區塊的軟體防寫以便靈活保護資料/程式碼安全以及單次燒錄（OTP）的2 Kb安全ID區域。這些特性有助防止未經授權的存取及其他惡意讀取、燒錄和抹除的意圖。同時，該元件還備有一個相容JEDEC標準的串列式快閃記憶體可顯示參數（SFDP）表，其中包含有關SST26WF080B/040B功能和性能的識別資訊，從而達到簡化軟體設計的目的。

Microchip儲存產品部副總裁Randy Drwinga表示：「公司為1.8V低功耗四個串列式I/O產品線新增的SST26WF080B/040B SuperFlash元件為客戶帶來了抹除速度快的高速快閃記憶體卓越解決方案。憑藉小尺寸和低功耗的特性，新元件適用於包括物聯網應用在內的新一代採用電池供電的可攜嵌入式設計。」

SST26WF080B/040B元件現已開始提供樣品並投入量產，備有8接點6mm x 5mm WSON封裝、8接腳150mil SOIC封裝、8接點2mm x 3mm USON封裝以及8球Z-Scale XFBGA封裝。（編輯部陳復霞整理）