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意法半導體推出微型記憶卡界面晶片
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2007年11月14日 星期三

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意法半導體(ST)推出高整合度的微型記憶卡界面晶片,新產品採用IPAD(Integrated Passive and Active Devices)技術,內建記憶卡界面所必備的五項功能,可適用於使用抽取式SD卡如手機、GPS導航設備、數位相機等各種其他的消費性及工業產品。新的覆晶(Flip -Chip)封裝的EMIF06-SD02F3記憶卡收發器整合了信號調節、雙向電平轉換、ESD(靜電放電)保護、EMI(電磁干擾)過濾和一個2.9V穩壓器。

EMIF06-SD02F3
EMIF06-SD02F3

在一個單晶片內整合這些電路有助於提升系統的可靠性,同時較典型的分離元件解決方案節省75%以上的電路板空間。EMIF06-SD02F3需要不到7平方毫米的電路板面積,使用具有相同功能的分離元件解決方案則需要大約30平方毫米的電路板空間,同時新產品還簡化了應用產品的設計和電路佈局。

該晶片符合標準和高速SD界面標準,以及MiniSD、MMC和uSD/TransFlash標準。 新產品提供一個用於保護外部記憶卡插槽的先進ESD保護電路、用於防止射頻干擾數據線路的高效EMI過濾電路和用於防止出現懸空的數據線路的上拉/下拉(pull-up and pull-down)電阻。Card-Side Pins的ESD保護電路符合嚴格的IEC61000-4-2 Level 4的保護標準,即空氣放電15kV。 EMI濾波器工作頻率為800MHz到3GHz,在1GHz頻率下,衰減性能超過20dB。

此外,該晶片還提供六個高速雙向電平轉換器,它們的工作頻率為50MHz,典型傳播延遲為3ns,能夠把2.9V的記憶卡連接到1.8V主處理器。1.5ns的通道間最大延遲差可確保數據的一致性,並針對低功耗應用提供了最佳化的驅動器,其靜態斷態電路為1 microamp。

記憶卡的電源是由一個2.9V晶片內建低壓降(LDO)CMOS穩壓器所提供的,輸出電流 為200mA及輸入電壓範圍為3.1V到5V。 當200mA負載時,最大壓降為100mV。新產品還提供一個switch-off控制引腳,其啟動時間很短,僅為30μs,這個特性有助於將產品的功耗降至最低並延長電池的使用時間。 穩壓器包括一個熱關斷、低壓鎖定和短路保護功能。

關鍵字: 意法半導體(ST一般邏輯元件 
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