意法半導體（ST）推出全新M系列1200V IGBT，以先進的溝槽式場截止（trench-gate field-stop）技術為特色，有效提升太陽能逆變器（solar inverters）、焊接設備（welding equipment）、不斷電系統（uninterruptible power supplies）與工業馬達驅動器等多項應用的效能與可靠性。

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高度最佳化的傳導性與關斷性以及低導通耗損，讓全新進化的IGBT適用於執行頻率高達20kHz的硬式開關電路（hard-switching circuit）；可承受的最高工作溫度提高至攝氏175度，寬安全工作範圍（safe operating area；SOA）無鎖定（latch-up free）效應，攝氏150度時的短路耐受時間為10us，這些特性確保新產品在惡劣的外部電氣環境中具有更高的可靠性。

新產品所使用的第三代技術包括新的先進溝渠式結構設計和最佳化的高電壓IGBT架構，可最大幅度地降低電壓過衝（voltage overshoot）、消除關機期間常出現的振盪現象，有效減少了電能的耗損並簡化電路設計。在此同時，低飽和電壓（Vce（sat））可確保新產品具有很高的傳導效率、正溫度係數與窄飽和電壓範圍可簡化新產品的平行設計，有助於提高功率處理性能。

新產品還受益於經提升的導通效率。此外，新產品與IGBT反向平行（anti-parallel）的新一代二極體一同封裝，帶來快速的恢復時間和更佳的軟度回復特性且不會使導通耗損明顯上升，實現更出色的EMI性能表現。

40A STGW40M120DF3、25A STGW25M120DF3和15A STGW15M120DF3三款產品採用標準的 TO-247封裝，STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3和STGWA15M120DF3三款產品採用 TO-247長針腳封裝，目前均已開始量產。（編輯部陳復霞整理）