意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出先進的單路閘極驅動器（single-channel gate driver）STGAP1S。新產品在同一晶片上整合電流隔離（galvanic isolation）與類比邏輯電路圖（logic circuitry），可協助設計人員簡化驅動器的設計，同時確保產品具有良好的雜訊免除力（noise immunity），實現安全可靠的功率控制。

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STGAP1S是意法半導體新一代gapDRIVE閘極驅動器的首款產品。新產品整合意法半導體獨有的雙極CMOS-DMOS（BCD）製程與在晶片上直接植入隔離層的創新技術，可進一步提高系統整合度。高壓電軌上可承受高達1500V的電壓，而不會干擾其他電路；高可靠性使其適用於工業驅動器、大功率600V或1200V逆變器（inverter）、太陽能逆變器（solar inverters）以及不斷電系統。

100ns隔離層訊號傳播延遲使STGAP1S能夠傳輸高準確度的PWM訊號。新產品整合驅動級匯端或源端輸出電流高達5A；軌對軌的輸出支援負極驅動電壓，可與大型絕緣閘極雙極性電晶體（Insulated-Gate Bipolar Transistors；IGBT）或寬能隙（wide bandgap）電源開關（例如碳化矽MOSFET）搭配使用。新產品具有優異的共模瞬變免疫能力（Common Mode Transient Immunity；CMTI），使其可耐受度超過+/-50V/ns的共模瞬變電壓，並可支援跨隔離層互動與安全的作業環境。匯端與源端輸出分開式的設計可提高設計靈活性，並有助於減少外部元件的使用。

新產品可透過內建的的工業標準介面SPI埠與主控制器通訊，內部控制邏輯可實時監控工作狀態。STGAP1S透過這個介面向主控制器提供豐富的診斷訊息，進一步提升系統保護性能和工作可靠性。

新智慧驅動器還整合大量的保護功能，協助晶片大幅度提升在惡劣工業環境中的工作可靠性。這些保護功能包括防止無用的電晶體導通的功率級主動式米勒鉗制（Miller clamp）；在短路條件下保護開關的降飽和度偵測；可防止造成具危害性過衝電壓的集極至射極的過電壓保護及輸出雙電平關電功能；過溫度保護；電壓過低鎖定（Under-Voltage Lockout；UVLO）和過電壓保護（Over-Voltage Lockout；OVLO）以及過量電流偵測專用針腳。STGAP1S是一款高整合度且尺寸精巧的SO24W晶片。（編輯部陳復霞整理）