帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
東芝推出新款600V/650V超接面N溝道功率MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理報導】   2017年02月06日 星期一

瀏覽人次:【5219】

東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司推出EMI性能更佳化的600V/650V超接面N溝道功率MOSFET,該產品適用於工業和辦公設備。

東芝新系列600V/650V超接面N溝道功率MOSFET適用於工業和辦公設備。
東芝新系列600V/650V超接面N溝道功率MOSFET適用於工業和辦公設備。

該新系列擁有與東芝當前的「DTMOS IV系列」相同水準的低導通電阻、高速開關性能,同時,其最佳化的設計流程使EMI性能提升約3至5dB。而且,降低的單位面積導通電阻(RON x A)性能使新的650 v 0.29Ω產品可使用DPAK封裝。該新系列產品適用於需要高效率和小體積的工業和辦公設備電源、筆記型電腦和行動裝置配接器和充電器以及電腦和印表機。

該新「DTMOS V系列」最初將提供12款產品。樣品出貨即日啟動,量產出貨計畫於3月中旬啟動。(source:BUSINESS WIRE)

關鍵字: MOSFET  電阻  超接面  東芝(Toshiba東芝(Toshiba電子邏輯元件 
相關產品
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性
ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET
東芝小型光繼電器適用於半導體測試儀中高頻訊號開關
Littelfuse新款800V N溝道耗盡型MOSFET採用改進型SOT-223-2L封裝
東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化
  相關新聞
» 工研院秀全球最靈敏振動感測晶片 可測10奈米以下振動量
» 安立知以全方位無線通訊方案引領探索6G時代
» 再生能源成長創新高 但發展程度並不平均
» 意法半導體突破20奈米技術屏障 提升新一代微控制器成本競爭力
» Pure Storage攜手NVIDIA加快企業AI導入 以滿足日益成長的需求
  相關文章
» 使用Microchip Inductive Position Sensor(電感式位置感測器)實現高精度馬達控制
» 以霍爾效應電流感測器創新簡化高電壓感測
» ESG趨勢展望:引領企業邁向綠色未來
» 智慧家居大步走 Matter實現更好體驗與可靠連結
» 車載軟體數量劇增 SDV硬體平台方興未艾

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.93.59.171
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw