帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
東芝推出800V超結N溝道功率新MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 陳復霞整理報導】   2017年01月23日 星期一

瀏覽人次:【3726】

東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司宣布針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET。「DTMOS IV系列」的八款新MOSFET利用超結結構,與東芝之前的「π-MOSVIII系列」相比,其可將其單位面積導通電阻(RON x A)降低近79%。

東芝針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET..
東芝針對高效率電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關的800V超結N溝道功率MOSFET..

該系列產品改進的高速開關還有助於提高使用該系列產品的晶片組的電源效率。這些MOSFET適用於工業電源,伺服器、筆記型電腦配接器和充電器以及行動裝置的備用電源以及LED照明燈具的電源。出貨即日啟動。

關鍵字: MOSFET  N溝道功率  高效率電源  低導通電阻  高速開關  東芝(Toshiba東芝(Toshiba電子邏輯元件 
相關產品
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性
ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET
東芝小型光繼電器適用於半導體測試儀中高頻訊號開關
Littelfuse新款800V N溝道耗盡型MOSFET採用改進型SOT-223-2L封裝
東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化
  相關新聞
» 亞灣2.0以智慧科技領航國際 加速產業加值升級
» 高通執行長將於COMPUTEX 2024 分享智慧裝置上的生成式AI運算
» 應材及東北微電子聯手 為MIT.nano挹注200mm晶圓研製能力
» 國科會核准科學園區投資案 德商易格斯進駐中科拔頭籌
» Honeywell與恩智浦聯手利用AI 加強建築能源智慧管理
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.80.24.244
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw