帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR新型150V高側驅動器IC配備內部Vs電荷
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2009年09月10日 星期四

瀏覽人次:【4523】

國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出AUIRS2016S元件,適用於汽車閘極驅動器應用,包括通用噴軌、柴油和汽油缸內直噴應用,以及螺線管驅動器。

新型150V高側驅動器IC
新型150V高側驅動器IC

AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側驅動器,具有內部電壓尖峰至接地(Vs-to-GND)充電NMOS。這款元件的輸出驅動器配備一個250mA高脈衝電流緩衝級。有關通道能夠在高側配置中驅動一個N-通道功率MOSFET,在距離接地最高150V下操作。AUIRS2016S也提供負電壓尖峰免疫性(-Vs),可防止系統在大電流切換和短路情況下受到損毀。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示,AUIRS2016S是針對例如柴油和汽油缸內直噴應用系統等節能應用的IC,產品高度可靠耐用,能夠滿足汽車底盤馬達控制單元的嚴格效能表現要求。

AUIRS2016S符合AEC-Q100標準,並且提供5V兼容邏輯水平輸入、一個高側輸出和內部低側Vs充電、擁有提升電阻的CMOS Schmitt觸發反相輸入,以及配備下拉電阻的CMOS Schmitt觸發反相重設。

新元件採用IR先進的高壓IC技術,並且融合了新一代高壓電平轉換和端接技術,能夠提供卓越的電力過應力保護和更高的現場可靠性。

產品的基本規格如下:

元件編號

封裝

VOUT

IO+ 及 IO-

Ton/off

DTON/DTOFF

AUIRS2016S

SOIC8

4.4V – 20V

0.25A

150ns

70ns/6µs

AUIRS2016S現在開始接受批量訂單。這款適用於汽車的新元件不含鉛,也符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)。

關鍵字: 汽車閘極驅動器  高電壓功率MOSFET高側驅動器  IR 
相關產品
IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝
IR推出電池保護應用MOSFET系列
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻
IR為高功率工業應用推出新IGBT模組系列
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力
» 國科會促產創共造算力 主權AI產業專區落地沙崙
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.117.156.170
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw