華邦電子即將參加由Global Sources所主辦的2008 IIC-China深圳（3/3-4深圳會展中）、上海（3/10-11上海世貿商城），屆時也將展出華邦兩大系列行動記憶體產品－低功率耗動態記憶體及虛擬靜態記憶體，並推出一系列低功耗動態記憶體512Mb Low Power DRAM。

近年來手機市場成長的主要動力，除了新一代3G傳輸標準之興起，行動商務化平台的運轉，及諸多影音多媒體技術的發展下，大大帶動了中高階機種換機潮的興起。手機的功能日新月異，新的功能陸續的推出，如彩色圖片瀏覽、JAVA遊戲下載、數位相機模組搭載…等，使得手機的記憶體中的RAM Buffer需要量大增，為因應高效高容量之記憶體需求，華邦電子2008年將陸續推出符合JEDEC標準低功率耗動態記憶體（Low Power DRAM）規格之產品，產品含蓋128 Mb～512 Mb。

虛擬靜態記憶體（Pseudo SRAM）採取傳統DRAM為核心；介面則設計與傳統SRAM相容的架構。另外Pseudo SRAM設計了一個on-chip refresh circuit來解決DRAM cell之Refresh，以增加讀取速度並降低使用者在設計上的困擾。產品完整含蓋16Mb～256Mb；本次所展出之256Mb PSRAM為現今市場上容量最大之PSRAM之一（符合CellularRAM 2.0G之標準）；除領先同業之外，與主要系統供應商建立更進一步的合作關係。

華邦電子公司宣佈與德國奇夢達公司（Qimonda AG）簽訂75奈米與58奈米溝槽式DRAM製程技術移轉及產能合作協議，具體展現華邦不斷運用先進製程技術，提升自有產品在全球市場的競爭力，及強化與國際大廠實質合作的夥伴關係。一方面華邦持續提供奇夢達高品質的標準型DRAM產品晶圓代工服務，另則華邦可以發展行動記憶體等利基型產品，經營自有品牌產銷。未來華邦將可應用58奈米製程技術，開發Low Power SDRAM、Pseudo SRAM、消費電子產品DRAM等利基型記憶體產品，以滿足行動通訊市場多元及快速成長的需求。