許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用。

採用TO247-4封裝的 CoolSiC 蕭特基二極體2000 V G5

新款產品系列採用 TO-247PLUS-4-HCC 封裝，爬電距離為14 mm，間隙距離為5.4 mm，再加上高達80 A的額定電流，顯著提升功率密度。它使開發人員能夠在應用中實現更高的功率水準，而元件數量僅為1200 V SiC 解決方案的一半。得以簡化整體設計，實現從多電平拓撲結構到2電平拓撲結構的平穩過渡。此外，CoolSiC蕭特基二極體2000V G5採用.XT互連技術，大幅降低熱阻和阻抗，實現更好的熱管理。此外，HV-H3TRB可靠性測試也證明該二極體對濕度的耐受性。該二極體沒有反向或正向恢復電流，且具有正向低電壓的特點，確保優化系統性能。

2000 V二極體系列與英飛凌於2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封裝的CoolSiC MOSFET 2000 V完美適配。CoolSiC二極體2000 V產品組合將透過提供TO-247-2封裝而得到擴展，該封裝將於2024年 12月推出。此外，英飛凌還提供與CoolSiC MOSFET 2000 V匹配的閘極驅動器產品組合。採用TO-247PLUS-4 HCC封裝的CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5系列及其評估板現已上市。