意法半導體（ST）宣布開始量產STISO621雙通道數位隔離器，該新系列高性能隔離器適合工業控制應用，可替代普通的光耦元件。

意法半導體數位隔離器採用新型厚氧化物電流隔離技術，可提升性能和可靠性。

STISO621的兩個隔離區域之間資料傳輸速率可達100Mbit/s，脈衝失真低於3ns，採用意法半導體6kV厚氧化層電流隔離技術。該元件具備兩路獨立單向通道，適用於處理雙向資料的UART收發器介面。每路通道都有施密特觸發器輸入，確保隔離器能提供較高的抗噪能力。

在相互電流隔離的STISO621兩端，電源電壓彼此獨立。每個電源可以在3.3V和5.5V的寬電壓範圍之間轉換電位。65kV/μs的典型共模瞬變抗擾度（Common-Mode Transient Immunity；CMTI）可保護低壓側，在惡劣環境中免受高開關瞬變而影響。

STISO621適用於電源、馬達驅動器、電表、逆變器、電池監測器、電器、現場匯流排隔離器、對尺寸要求嚴格的多通道隔離轉接頭，以及整個工業自動化系統中的常規隔離等各種工業和消費性應用。產品設計符合高壓隔離裝置測試規範VDE0884-10和UL 1577。

EVALSTISO62XV1評估板有助於加快多種應用情境的設計速度。意法半導體還提供了EVALSTPM-3PHISO，一個專門為三相隔離電表系統用例製作的參考設計。這個設計整合了用於分離高電壓域的STISO621，以及意法半導體高精確度STPMS2電表計量前段IC，還提供在STM32微控制器運行之用於計算測量三相資料和電能質量數據的專用韌體。

STISO621具有1200Vpeak的最大運作隔離電壓（V_IOWM）和高衝擊耐受電壓（V_IOWM），其電流隔離功能不隨時間變化，在任何系統故障期間，均能保持電流隔離功能的完整性。兩款封裝可供選擇，STISO621採用4mm爬電距離和電氣間隙的SO8窄體封裝，V_IOWM電壓為4800V。而STISO621W則採用爬電距離和間隙為8mm的SO8寬體封裝，V_IOWM為6000V。在-40°C到125°C的溫度範圍皆可確保其高性能。

STISO621和STISO621W均已量產。