橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體宣佈，意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術榮獲全球兩大知名電子技術專業媒體電子工程專輯（EETimes）和電子技術設計（EDN）的2013年度電子成就獎（ACE）能源技術獎。電子成就獎旨在於表彰那些改變電子世界和影響人們工作、生活和娛樂方式的技術產品的人和企業。

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FD-SOI製程是28奈米及以下技術節點的傳統半導體製程的升級換代技術，此項技術的優點是速度更快、製造更簡單、功耗更低，現正準備投產。FD-SOI榮獲能源技術獎是因為此項技術能夠在兩個不同方面降低二氧化碳的排放量。首先，FD-SOI晶片製程較傳統CMOS製程節省15%的步驟，可直接評估單位晶片製造能耗節省效果。更重要的是，根據客戶的節能與性能權衡策略，FD-SOI晶片本身可節約20%至50%的能耗，使終端設備可更快散熱，並實現更長的使用壽命。

意法半導體數位娛樂產品事業部前端製造＆製程研發執行副總裁Joel Hartmann在領獎時表示：「榮獲能源技術獎證明FD-SOI是一個能夠同時滿足低功耗和高性能需求的突破性技術，使晶片廠商能夠提供滿足每瓦性能和每美元每瓦性能雙重標準的產品。」

入圍電子成就獎最後一輪評選的意法半導體多名高階經理人中，意法半導體執行副總裁暨類比、MEMS和感測器事業群總經理Benedetto Vigna是年度經理人（Executive of the Year）的候選人，雖然半導體市場縮減2%，但在他的卓越領導下，意法半導體在MEMS行動和手機市場的佔有率接近50% 。

意法半導體並有四款產品入圍終極產品獎：處理器類STM32F3系列ARM Cortex M 微控制器；開發工具類M24LR Discovery Kit探索套件能源收集開發工具；感測器類市場首款雙核陀螺儀；介面類Mystique高速主動協議雙向介面轉換器。