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超越5G时代的射频前端模组 (2021.01.05)
透过整合深宽比捕捉（ART）技术与奈米脊型工程，爱美科成功在300mm矽基板上成长出砷化镓或磷化铟镓的异质接面双极电晶体，实现5G毫米波频段的功率放大应用。 |
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用于射频前端模组的异质三五族CMOS技术 (2020.02.10)
随着首批商用5G无线网路陆续启用，爱美科为5G及未来世代通讯应用准备了下世代的行动手持装置。 |
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TrendForce：5G推升需求 GaAs射频元件2020年成长动能显现 (2019.07.08)
根据TrendForce旗下拓??产业研究院报告指出，由於现行射频前端元件制造商依手机通讯元件的功能需求，逐渐以GaAs晶圆作为元件的制造材料，加上随着5G布建逐步展开，射频元件使用量较4G时代倍增，预料将带动GaAs射频元件市场於2020年起进入新一波成长期 |
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是德科技与三安集成策略合作推出HBT、pHEMT制程设计套件 (2016.05.03)
是德科技软体和服务可协助三安集成加速完成HBT和pHEMT制程PDK的开发制作可靠、高功率的先进pHEMT及HBT元件，缩短产品上市时间。
是德科技（Keysight）日前宣布与中国厦门三安集成签署合作备忘录（MoU），双方将以是德科技先进设计系统（ADS）软体为基础，共同合作开发适用于三安集成的HBT和pHEMT制程的先进制程设计套件（PDK） |
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Microchip推出新型5GHz功率放大器模块 (2015.03.23)
Microchip 公司（美国微芯科技）推出采用IEEE 802.11ac 超高数据速率Wi-Fi标准的新型SST11CP22 5 GHz 功率放大器模块 （PAM）。新型PAM在1.8%动态EVM（误差向量振幅）、MCS9 80 MHz带宽情况下的线性输出功率为19 dBm |
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Ku波段InGaP-GaAs HBT的单片压控振荡器和微分拓扑与平衡-Ku波段InGaP-GaAs HBT的单片压控振荡器和微分拓扑与平衡 (2010.12.09)
Ku波段InGaP-GaAs HBT的单片压控振荡器和微分拓扑与平衡 |
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ADI推出新款中频增益区块放大器 (2010.01.25)
美商亚德诺（Analog Devices，ADI）上周五（1/22）宣布，发表两款新的中频（IF）增益区块放大器。 ADL5535和ADL5536增益区块放大器具有由内部匹配的中频增益区块，该区块结合最高等级的线性度和噪声度效能，因此可提供最高的动态范围 |
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安捷伦推出适用高带宽示波器之新一代芯片组 (2009.12.26)
安捷伦科技（Agilent）于周二（12/22）宣布，新一代高带宽示波器因成功启用采磷化铟（InP）技术的前端芯片组，而提供了突破性的功能。新款芯片组使安捷伦得以在2010上半年，推出模拟带宽高于16 GHz的示波器 |
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实现无线存取功能之半导体组件 (2009.02.05)
不论是可携式设备还是WLAN卡应用中，多媒体存取的发展趋势不断成长，这要求讯号链路能具有以下的特点：占位面积小、功耗低和提供多模多频带性能。而能满足上述所有要求的解决方案无疑就是硅半导体制程，比如硅锗（SiGe） |
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WCDMA HBT功率放大器模块 (2007.10.08)
本文介绍一款在3mmx5mm2的紧凑型封装中、整合有GaAs HBT MMIC PA和Si BiCMOS DC电源管理IC的WCDMA功率放大器模块。这种多合一的方案适用于手机应用。它采用一种死循环控制DC-DC降压转换器，让电源管理IC能够自适应优化PA集极电压，可当作输出功率函数，从而降低后移工作的耗电量 |
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RFMD针对化合物半导体的成长需求宣布扩产 (2007.10.04)
针对驱动行动通讯、设计及制造高效能无线电系统及解决方案的厂商RF Micro Devices，Inc.宣布计划扩展其化合物半导体之制造产能，以支持该公司蜂巢式及多重市场产品事业群的成长预期 |
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RFMD延展GaN宽带功率放大器产品线 (2007.06.12)
RF Micro Devices，近日宣布其已开始出货氮化镓（GaN）RF3822 PowerIC宽带功率放大器（PA）至一线军事供货商。RFMD的RF3822 PowerIC提供0.1GHz至1GHz频率范围的功率效能，且非常适合多频和宽带应用，例如针对军事通讯之软件定义无线电（SDR） |
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砷化镓的磊晶技术与应用市场 (2007.04.04)
砷化镓早年主要是应用于国防太空工业，以及高速电脑元件、高频测量仪器等特定应用领域。随着冷战时代的结束、军事管制的解除及个人通讯的快速发展，以微波频率为主的无线通讯已可广泛用于个人通讯、卫星通讯及光纤通讯等民生用途上 |
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半导体料材技术动向及挑战 (2006.11.23)
半导体制造技术能否持续突破，材料一直扮演着重要的角色，从过去最早初的锗（Germanium；Ge），到之后普遍运用的硅（Silicon；Si），而近年来又有更多的新样与衍生，以下本文将针对此方面的新用材、新趋势发展，以及现有的技术难度等，进行一番讨论 |
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浅谈RF及无线通讯系统量测技术 (2006.08.07)
无线电频率(Radio Frequency；RF)已经出现一个世纪以上，RF本身已经变成和无线及高频讯号的同义词，RF的测量方法可以大致区分为三种主要类别──频谱分析（spectral analysis）、向量分析（ vector analysis）以及网路分析（network analysis） |
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RFMD扩充晶圆厂设备 预期将带动营收及利润成长 (2006.04.11)
无线通信应用領域专用射频积体电路(RFIC)供货商RF Micro Devices, Inc.，近日宣布一项达8千万美元之晶圆设备扩充计划。此扩充位于该公司的Greensboro园区，预计将增加RFMD的晶圆制造产能最可高达40%–使得应用RFMD領导市场的GaAs HBT及GaAs pHEMT制程技术之无线市场能持续健全成长 |
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手机射频系统整合的不归路 (2006.01.25)
整合，似乎是一条不归路。只要整合了旧的功能、有了多的空间，就会有新的功能和组件想放进来。 |
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浅谈无线通讯功率放大器矽锗技术之应用 (2006.01.05)
SiGe 技术已经应用于高功率放大器产品，如CDMA和GSM手机。由于这种半导体可以整合更多电路，它将在未来功率放大器与无线射频（RF）电路的整合方面发挥重要作用。 |
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RFMD单阶RF3807和RF3809预驱动功率放大器问世 (2005.03.29)
无线通信应用領域的領先专用射频积体电路(RFIC)供货商RF Micro Devices,Inc.公司推出兩款针对蜂窝基地台应用的新型砷化镓異质结构双极晶体管(GaAsHBT)预驱动功率放大器(PA) |
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RF MD推出RF5198放大器模块 (2005.02.23)
无线通信应用领域的专用射频集成电路(RFIC)供货商RF Micro Devices公司推出针对WCDMA 手机应用的RF5198 高功率、高效率线性功率放大器(PA)模块。尺寸.3×3×0.9 毫米的RF5198 是包含片上功率检测器的全球最小的线性PA 模块 |
