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ST与MACOM射频矽基氮化??原型晶片达成技术和性能里程碑 (2022.06.14)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??(RF GaN-on-Si)原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作,并加强双方的合作关系。 射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力
Ampleon推挽式整合型Doherty电晶体 Sub-6GHz频段减少布局工作 (2022.02.25)
埃赋隆半导体(Ampleon)利用先进的LDMOS电晶体技术,推出B11G3338N80D推挽式3级全整合型Doherty射频电晶体,该电晶体是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品,涵盖所有Sub-6GHz频段。 这种高效的多频段器件覆盖3.3至3.8GHz的频率范围,可实现下一代大功率和具有市场领先效率的大型基地台
意法半导体推出新款射频LDMOS功率电晶体 (2021.08.17)
意法半导体(STMicroelectronics)所推出的STPOWER LDMOS电晶体产品家族最近新增数款产品,该产品家族有三个不同的产品系列,皆可针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)进行优化设计
恩智浦将氮化镓应用于5G多晶片模组 (2021.07.07)
降低能源消耗(energy consumption)为电信基础设施的主要目标之一,其中每一点效率都至关重要。在多晶片模组中使用氮化镓可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高至 52%,比公司上一代模组高出8%
恩智浦第二代射频多晶片模组 实现5G高频应用45%效能提升 (2020.12.07)
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)宣布推出第二代Airfast射频功率多晶片模组(RF Power Multi-Chip Modules),以满足蜂窝基地台的5G mMIMO主动天线系统(active antenna systems;AAS)在频率、功率和效率三大方面的进阶要求
5G来临 氮化??将逐步取代LDMOS (2020.03.02)
光电协进会(PIDA)指出,氮化??(GaN)将逐步取代基地台射频功率放大器中的LDMOS。尽管LDMOS技术目前仍占最大的营收部分,但为了要支撑次世代无线网路元件更高频、更高效率,设备制造商和运营商张开双臂的拥抱GaN元件,特别是在30 GHz至300 GHz的更高频率5G部署(包括毫米波段)
大功率射频晶体管面向工业和专业射频能量应用 (2019.01.18)
Ampleon今天宣布,面向工作在2400MHz至2500MHz频率范围内的脉冲和连续波(CW)应用,推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射频功率晶体管。BLC2425M10LS500P适用於各种工业、消费和专业??饪射频能量应用;由於它可以通过单个SOT1250空腔塑料封装提供500W的CW,因此具有非常高的功率与封装比
Ampleon推出小尺寸50Ω输入/输出250W双级2.4GHz模组 简化集成的复杂度 (2018.11.08)
埃赋隆半导体(Ampleon)近日宣布推出小尺寸双级250W LDMOS射频功率模组BPC2425M9X2S250-1。 该高效率模组专为工作在2,400MHz至2,500MHz频段的大功率连续波(CW)工业、科学和医疗(ISM)应用而设计,尺寸为72mm×34mm,并整合了温度感测器(可简化其温度的监控)、内建散热器的最先进的多层板,以及一流的LDMOS技术
贸泽供应Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化??电晶体 适合航空电子应用 (2018.05.31)
贸泽电子即日起开始供应Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 电晶体。 QPD1025在65V的运作功率达1.8 kW,为业界功率最高的碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 射频电晶体,拥有高讯号完整度和延伸的涵盖范围,适合L波段航空电子和敌我识别 (IFF) 应用
200W LDMOS输入/输出匹配放大器模组加速433MHz系统开发 (2018.04.11)
埃赋隆半导体(Ampleon)推出基於200W BPC10M6X2S200 LDMOS的功率放大器模组该模组适用於各种电浆照明、工业加热、医疗、射频??饪和除霜应用。这款小巧轻便的pallet,其工作频率范围为423MHz至443MHz,尺寸仅为125mm×33mm,重量为85g,并可在脉冲波和连续波模式下工作
Cree收购英飞凌RF Power业务 扩展4G/5G无线市场 (2018.03.08)
LED照明大厂Cree宣布,收购德国英飞凌射频功率(RF Power)业务之资产,收购金额约3.45亿欧元。这项交易将扩展Cree旗下Wolfspeed事业体在无线市场之商机。交易已经完成并於 3月 6 日生效
埃赋隆半导体叁加EDI CON 2018大会 (2018.03.07)
埃赋隆半导体(Ampleon)宣布其叁加3月20日至3月22日在中国北京举行的电子设计创新大会(EDI CON)的详细资讯。 埃赋隆半导体所在的630号展位,位於中国国家会议中心的4楼,将会布置一系列的热门产品和演示
MACOM和意法半导体将矽上氮化??导入主流射频市场和应用 (2018.02.21)
MACOM和意法半导体(ST)宣布一份矽上氮化??GaN 合作开发协议。据此协定,意法半导体为MACOM制造矽上氮化??射频晶片。除了扩大MACOM之货源外,该协议还授权意法半导体在手机、无线基地台和相关商用电信基础建设之外的射频市场制造、销售矽上氮化??产品
安谱隆SOT502 ISM频段小型射频功率放大器 可提供600W功率 (2018.02.09)
安谱隆半导体(Ampleon)推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器电晶体。 这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS制程的射频能量电晶体该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化
贸泽供应NXP MRFX1K80H电晶体 (2017.10.23)
Mouser Electronics(贸泽电子)即日起开始供应NXP Semiconductors 的MRFX1K80H LDMOS电晶体。MRFX1K80H属MRFX系列的射频 (RF) MOSFET电晶体产品之一,采用最新的横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) 技术
英飞凌射频解决方案实现快速、高效率且可靠的5G通讯 (2017.03.14)
【德国慕尼黑讯】即将到来的5G 网路具备了前所未见的规模、速度与复杂性,无论是大型或小型公司,其业务运作方式将随之产生革命性的变化,为现有市场和新兴市场带来全新商机,同时也将让家庭、城市、汽车及工业更佳智慧化、自动化,并且互连连网化
雅特生新款电源转换器适用于电讯和无线基地台设备 (2016.12.12)
雅特生科技 (Artesyn) 推出全新的ADH700系列 700W 1/2砖直流/直流电源转换器模组。第一款推出的产品可提供28V的额定输出,而且可支援高功率无线基地台普遍采用的LDMOS技术。 LDMOS亦即?向扩散金属氧化半导体,这种半导体技术适用于蜂巢式无线网路架构的高功率射频功率放大器,是这类基地台设备普遍采用的技术
英飞凌 8.5 亿美元现金收购 Wolfspeed (2016.07.18)
英飞凌科技(Infineon)与Cree公司宣布英飞凌已签订最终协议,将收购 Cree 旗下的 Wolfspeed 功率与射频部门 (「Wolfspeed」),此收购包括功率与射频功率的 SiC 晶圆基板事业。此全额现金支付的交易的收购金额为 8.5 亿美元 (约 7.4 亿欧元)
Ampleon建立全球射频电源合作伙伴 (2015.12.08)
Ampleon公司宣布,北京建广资产有限公司成功收购恩智浦半导体的RF电源业务之后,建立了Ampleon公司全球业务运作。 Ampleon公司即日起负责全部的射频(RF)电源业务活动,包括LDMOS和GaN RF电源产品的销售和支援
英飞凌推出行动基地台发射器专用的氮化镓装置 (2015.10.02)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出碳化矽(SiC)射频功率电晶体的氮化镓(GaN)系列产品。凭借英飞凌的氮化镓技术,该款新产品可协助行动基地台的制造商打造体积更小、功能更强大,且具弹性的发射器


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