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中国LCD零组件供应链趋完善 2017年一线厂商压力骤增 (2016.12.20)
TrendForce旗下光电事业处WitsView最新研究显示，随着一座座大世代（8代线以上）的LCD（液晶）产线在中国量产，中国零组件厂商的布局速度也跟着加快，如玻璃基板与偏光片等，2017年将试图挑战国际一线大厂 |
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Cadence与英特尔合作发表14nm元件库特性分析参考流程 (2015.03.23)
Cadence Virtuoso Liberate特性分析解决方案与Spectre电路模拟器共同实现精准的14nm逻辑元件库
益华计算机（Cadence）与英特尔（Intel）宣布，两家公司连手提供英特尔专业代工（Intel Custom Foundry）客户专属的14nm （奈米）组件库特性分析参考流程，在实现英特尔14nm平台专属数字与客制/模拟流程方面继续合作 |
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FPGA业者种树 英特尔、Fabless乘凉 (2013.09.30)
从28奈米到现在的20奈米、16奈米FinFET，
再到英特尔14奈米三闸极电晶体制程，FPGA的技术竞逐，
多少可以猜出英特尔与一线Fabless业者的后续动向。 |
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Mouser 现货供应第 4 代 Intel Core 处理器 (2013.08.26)
Mouser Electronics 开始供货第 4 代 Intel Core 处理器 (原名 Haswell)，此新一代产品采用 22 奈米架构及 Tri-Gate 技术，提供最大化的每瓦效能。 支持弹性化的设计，适合应用于桌面计算机、行动装置或嵌入式产品 |
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采用三闸极3D技术的新一代FPGA (2013.07.07)
2013年2月，Altera和英特尔(Intel)共同宣布新一代Altera的高性能FPGA产品将独家采用英特尔的14奈米3D三闸极晶体管技术。这代表着FPGA也已跨入3D晶体管世代了。
全球领先的半导体公司都不断地针对3D晶体管结构进行优化和可制造性研究 |
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英特尔制程加持 Altera打造地表最强FPGA (2013.06.13)
FPGA市场瞬息万变，芯片商无时无刻均在为产品的优化做出努力。当然，对于半导体芯片来说，透过先进制程技术的采用，以及电路架构设计的突破，仍是为芯片带来更高效能与更低功耗的不二法门 |
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美高森美选择英特尔代工服务开发数字集成电路 (2013.05.09)
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供货商美高森美公司宣布利用英特尔公司(纽约纳斯达克交易所代号：INTC)业界领先的onshore代工技术和使用英特尔革新性22 奈米 (nm) 3D、三闸(Tri-Gate)晶体管技术，开发先进的高性能数字集成电路(IC)和系统单芯片(SoC)解决方案 |
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Intel再推低功耗高效能Silvermont新军 (2013.05.08)
为了对抗ARM势力阵营，Intel可说是在微处理器领域卯足的全力，近日，针对行动装置设备，发表了全新以22nm制程技术打造的Atom SoC处理器－「Silvermont」，最高可支持8核心，同时采用3D三闸晶体管（Tri-Gate）技术，强调更省电、效能加倍，并且能够广泛应用在智能手机、平板计算机、微型服务器、入门款计算机、车载影音系统 |
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16nm/14nm FinFET：开辟电子技术新疆界 (2013.03.27)
FinFET技术是电子业界的新一代先进技术，是一种新型的多重闸极3D晶体管，提供更显著的功耗和效能优势，远胜过传统平面型晶体管。Intel已经在22nm上使用了称为「三闸极(tri-gate)」的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备16奈米或14奈米的FinFET制程 |
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Inte低功耗Atom S1200 向ARM宣战 (2012.12.12)
随着云端运算持续成长，巨量数据应用随之兴起，使的数据中心业者必须面临不断增加的设备扩建成本及营运成本。因此，效能更高、耗电量更低的微型服务器（Microserver）开始受到关注，并逐渐取代传统数据中心 |
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NB处理器架构大战一触即发 (2012.12.07)
WOA风雨欲来，将正面挑战Intel长期以来的霸业。
当然，Intel也不是省油的灯，其处理器的能耗表现愈做愈好，
Intel迎战WOA的下一个功课，将是做好SOC的策略布局。 |
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[Gartner评析] WOA山雨欲来 Intel能否招架？ (2012.09.10)
ARM架构系统单芯片已在智能手机市场尝到成功滋味，进而广为平板所采用。由于ARM架构系统单芯片已在平板领域展现省电特色，再加上即将推出的ARM架构PC，ARM架构系统单芯片可望进军次世代NB市场 |
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2012新趋势：技术非重点、重点在于想象力！ (2011.12.26)
随着2011年接近尾声，Intel对外发表了2012年科技最新展望。外界最关心的当然是22奈米(nm)Tri-Gate晶体管将于明年正式应用于各种产品领域，制造业将迈入2.0十代，在美国硅谷，『融合式』与『绿色』科技新创公司数量增加超过一倍，俨然可看出未来的趋势所在 |
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5年1500万美元 工研院与Intel共推3D内存 (2011.12.06)
Intel今日（12/6）与工研院、经济部技术处共同宣布一项针对下世代内存技术的合作案，未来五年总投入金额共达一千五百万美元。这是Intel在Ultrabook以及行动装置的布局，工研院将提供 IC 架构及软件技术，目标是在五年内，将内存功耗节省至10倍、甚至百倍以上 |
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角的影响 SOI 三闸 FinFET 结构通过三维仿真过程及设备-角的影响 SOI 三闸 FinFET 结构通过三维仿真过程及设备 (2011.06.22)
角的影响 SOI 三闸 FinFET 结构通过三维仿真过程及设备 |
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全三维自兼容量子传输仿真双栅和三栅10 奈米 FinFET 组件-全三维自兼容量子传输仿真双栅和三栅10 奈米 FinFET 组件 (2011.06.22)
全三维自兼容量子传输仿真双栅和三栅10 奈米 FinFET 组件 |
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全波段粒子为基础的分析设备结构之三维三栅极场效应管-全波段粒子为基础的分析设备结构之三维三栅极场效应管 (2011.06.22)
全波段粒子为基础的分析设备结构之三维三栅极场效应管 |
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采三闸极制程 Intel超级运算芯片明年现身 (2011.06.21)
英特尔在德国汉堡所举行的国际超级运算大会（ISC）上宣布，支持每秒百万兆次（exascale）的超级运算架构MIC，将在2012年正式进入市场化阶段，预计到2018年，支持平行运算的百万兆次超级计算机将可进一步普及，届时英特尔可望真正实现百万兆次运算等级 |
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掌握平板SoC四大关键！ (2011.06.09)
平板装置已成为今年全球电子产业众所瞩目的焦点，媒体平板和PC型平板之间的瑜亮情节也不断发酵。行动系统单芯片架构正是平板装置的重要核心。综观当前平板SoC发展，有四大关键必须密切注意，这四大关键将深刻影响着平板装置的未来样貌 |
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我挺摩尔定律！ (2011.05.27)
台积电董事长张忠谋四月底一席「半导体摩尔定律将在6至8年到达极限」的言论，再次引发业界对于摩尔定律是否能够延续的讨论。身为全球最大半导体整合制造商，英特尔五月初正式对外公布可量产的立体三闸晶体管技术（3-D Tri-Gate transistors），这项技术自2002年开始发展，将是半导体产业能否继续按照摩尔定律往下走的重要依据 |
