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聯電首推22eHV平台促進下世代智慧型手機顯示器應用 (2024.06.21)
聯華電子新推出22奈米嵌入式高壓(eHV)技術平台,為先進的顯示器驅動晶片解決方案,推動未來高階智慧型手機和移動裝置顯示器的發展。22eHV平台具有電源高效能,,協助客戶開發體積更小、效能更高的顯示器驅動晶片,為行動裝置製造商提高產品電池壽命,同時提供最佳化的視覺體驗
工研院探討生成式AI驅動半導體產業 矽光子與先進封裝成關鍵 (2024.06.21)
在工研院連續舉辦兩天的「生成式AI驅動科技產業創新與機遇系列研討會」第二天(20日)場次,同樣由產學專家深度剖析生成式AI帶來的半導體產業機會,共涵蓋IC設計、製造到封裝各階段,協助業者掌握晶片設計、製造與封裝的最新進展,並指出矽光子與先進封裝將是未來應用發展關鍵
imec展示單片式CFET功能元件 成功垂直堆疊金屬接點 (2024.06.21)
於本周舉行的2024年IEEE國際超大型積體電路技術研討會(VLSI Symposium)上,比利時微電子研究中心(imec)首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效電晶體(CFET)元件,該元件包含採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極/汲極金屬接點(contact)
安森美於捷克打造端到端碳化矽工廠 完備先進功率半導體供應鏈 (2024.06.20)
電氣化、再生能源和人工智慧是全球大勢所趨,激發了市場對可最佳化能源轉換和管理的先進功率半導體的空前需求。為滿足這些需求,安森美採取了戰略舉措,宣佈將在捷克建造先進的垂直整合碳化矽 (SiC) 製造工廠
FlexEnable柔性顯示技術創新產品目前已出貨 (2024.06.18)
開發和生產用於有源光學和顯示器的柔性有機電子產品供應商FlexEnable宣布,全球首款採用有機電晶體技術的量產消費電子產品已開始出貨。這款名為Ledger Stax的裝置是由法國市場領導者Ledger 開發的安全加密錢包
西門子以Catapult AI NN簡化先進晶片的AI加速器開發 (2024.06.18)
西門子數位工業軟體近日推出 Catapult AI NN 軟體,可幫助神經網路加速器在ASIC和SoC上進行高階合成(HLS)。Catapult AI NN 是一款全面的解決方案,可對 AI 架構進行神經網路描述,再將其轉換為 C++ 程式碼,並合成為 Verilog 或 VHDL 語言的 RTL 加速器,以在矽晶中實作
2024台塑企業應用技術交流 產學激盪減碳永續議題 (2024.06.18)
「第19屆台塑企業應用技術研討會」近日在長庚大學登場,2024年以「翻新綠業˙永續淨零」為主題,由台塑企業攜手長庚大學、明志科技大學、長庚科技大學三校參與,共同分享新應用技術及產學合作研發成果,也交流未來研發方向及現階段技術瓶頸
VR虛擬實境銲接訓練 北分署數位化教學培訓專才 (2024.06.14)
銲接技術應用廣泛,從基礎建設、汽車製造、精密金屬加工到晶圓製造等領域都不可或缺,隨著離岸風電、航太等高科技產業的發展,對銲接專業人才的需求日益增長。勞動力發展署北分署的職訓課程規劃與教學模式與時俱進
Littelfuse新款低側柵極驅動器適用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低側SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器IX4352NE,這款創新的驅動器專門設計用於驅動工業應用中的碳化矽(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極電晶體(IGBT)。IX4352NE的主要優勢在於其獨立的9A拉/灌電流輸出,支援量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低
生成式AI助功率密集的計算應用進化 (2024.06.13)
業界需要一種新的供電架構來控制生成式AI訓練模型的能源消耗
台灣AI關鍵元件的發展現況與佈局 (2024.06.13)
就人工智慧(AI)裝置的硬體來看,關鍵的零組件共有四大塊,分別是邏輯運算、記憶體、PCB板、以及散熱元件。他們扮演著建構穩定運算處理的要角,更是使用者體驗能否優化的重要輔助
AI帶來的產業變革與趨勢 (2024.06.13)
隨著2025年AI PC軟硬整合更完備,將成為推動產業復甦的關鍵動力;AI伺服器受惠於生成式AI大型語言模型、企業內部模型微調等因素導致需求持續上升,成為2024年伺服器市場的主要驅動力
你能為AI做什麼? (2024.06.13)
2024年COMPUTEX的主題為「AI串聯 共創未來」,全球AI硬體產業的巨頭,都會為了這個AI加速的時代聚集在此,共同促進AI全面應用在各行各業上而大顯身手。
安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組,與其他同類產品相比,該模組的功率密度更高,且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術,帶來出色的效能表現,有助於降低系統成本並簡化設計
CGD與Qorvo合作開發馬達控制應用的GaN參考設計及評估套件 (2024.06.07)
無晶圓廠潔淨技術半導體Cambridge GaN Devices(CGD)致力於開發氮化鎵(GaN)器件,近日與全球連接和電源解決方案供應商Qorvo合作開發 GaN 在馬達控制應用中的參考設計和評估套件(EVK)
ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)
比利時微電子研究中心(imec)與艾司摩爾(ASML)共同宣布,雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實驗室正式啟用,為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑(high-NA)極紫外光(EUV)曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具
世界先進與NXP合資興建12吋晶圓廠 主攻類比電源晶片應用 (2024.06.05)
世界先進積體電路股份有限公司和恩智浦半導體(NXP Semiconductors)今(5)日宣布,計畫於新加坡共同成立VisionPower Semiconductor Manufacturing Company(VSMC)合資公司,以興建一座十二吋(300mm)晶圓廠
CGD與工研院合作 共同開發氮化鎵電源 (2024.05.31)
無晶圓廠潔淨技術半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD)與工業技術研究院(ITRI)簽署合作備忘錄,以鞏固雙方在開發高性能氮化鎵USB-PD適配器的合作夥伴關係。 CGD致力於開發多種節能的氮化鎵(GaN)器件,以實現更環保的電子元件
利用精密訊號鏈μModule解決方案簡化設計、提高性能 (2024.05.29)
本文說明 ADI精密訊號鏈μModule解決方案為系統設計人員提供外型精巧且可彈性客製化整合解決方案,協助以簡化設計、提高性能並節省寶貴的開發時間。
利用精密訊號鏈μModule解決方案簡化設計、提高性能 (2024.05.29)
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