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ROHM 650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝 (2025.02.13)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量和開關特性，因此在工業設備、車載設備以及需要支援大功率的應用領域被陸續採用 |
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電動車、5G、新能源：寬能隙元件大顯身手 (2025.02.10)
隨著運算需求不斷地提高，新興能源也同步崛起，傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限，而寬能隙半導體材料以其優越的性能，漸漸走入主流的電子系統設計之中。 |
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高功率元件的創新封裝與熱管理技術 (2025.02.10)
隨著高密度封裝和熱管理技術的進步，我們將看到更高效、更可靠的高功率元件應用於各不同產業，推動技術的持續演進。在這個挑戰與機遇並存的時代，持續的研發投入與技術創新將成為決勝關鍵 |
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高功率元件加速驅動電氣化未來：產業趨勢與挑戰 (2025.02.10)
高功率元件將成為實現全球電氣化未來的重要推動力。
產業需共同應對供應鏈挑戰、降低成本並提升技術創新速度。
最終助力實現更高效、更環保的全球能源管理體系 |
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工研院與台達開發SiC模組 搶攻高功率電子市場 (2025.02.08)
基於現今電動車為了符合低碳永續趨勢及續航力，兼顧在高壓、高溫下穩定運行，使得具備高功率密度的寬能隙化合物半導體（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成為該領域深受關注的元件材料 |
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超微型化仿生觸覺電子元件促進智慧皮膚更敏銳 (2025.01.21)
讓未來機器人在接觸時產生類似人類的敏銳反應機制找到了! 由國立中興大學生醫工程所林淑萍教授與物理所林彥甫教授領導的研究團隊，成功開發出一種以二維材料為基礎加以模仿人類觸覺機械受器的人工裝置，被稱為人工默克爾盤（Artificial Merkel Discs） |
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豐田合成GaN基板技術獲突破 功率元件性能大幅提升 (2025.01.08)
豐田合成株式會社近日宣布，其提升氮化鎵(GaN)基板性能的技術已獲得驗證，能有效改善功率元件性能。相關研究成果已發表於國際固態物理學期刊。
更優異的功率元件在電力調節方面扮演關鍵角色，對於減少社會碳排放至關重要 |
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半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
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Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議（IEDM）上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕（subtractive Ruthenium）提升電晶體容量達25% |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準 車規級高隔離馳返式變壓器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 標準車規級 HVMA03F40C-ST10S 馳返式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實現高功率密度與更高效率而設計，以因應當今汽車、工業以及能源儲存設計對於功率密度的不斷增長需求 |
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超高亮度Micro-LED突破綠光瓶頸 開啟顯示技術新紀元 (2024.12.15)
根據《nature》期刊，氮化鎵Micro-LED陣列亮度突破10x7尼特，實現高達1080×780像素的高密度微型顯示器。這一突破克服了晶圓級高質量磊晶生長、側壁鈍化、高效光子提取和精巧的鍵合技術等長期挑戰，為AR/VR設備、可穿戴設備和下一代消費電子產品帶來巨大優勢 |
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ROHM與台積公司在車載氮化鎵功率元件領域建立戰略合作夥伴關係 (2024.12.10)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）宣佈與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited （以下簡稱 台積公司）在車載氮化鎵功率元件的開發和量產事宜建立戰略合作夥伴關係 |
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半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧（AI）應用迅速崛起，從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算，對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下，半導體產業面臨著重大挑戰：電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制，以及先進封裝技術的提升 |
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貿澤、ADI和Bourns出版全新電子書 探索電力電子裝置GaN優勢 (2024.12.03)
貿澤電子（Mouser Electronics）與ADI和Bourns合作出版最新的電子書，探索氮化鎵（GaN）技術在追求效率、效能和永續性的過程中所面對的挑戰和優勢所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家談論氮化鎵技術）探討GaN技術如何徹底改變電力電子技術，達到比矽更高的效率、更快的開關速度和更大的功率密度 |
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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60% |
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2025國際固態電路研討會展科研實力 台灣20篇論文入選再創新高 (2024.11.26)
一年一度的國際固態電路研討會（ISSCC）將於2025年2月在美國舊金山舉行，被譽為晶片設計領域的奧林匹克大會，每年都展現出產學界創新的科研實力，台灣此次入選2025 ISSCC共計20篇論文 |
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筑波舉辦化合物半導體與矽光子技術研討會 引領智慧製造未來 (2024.11.15)
筑波科技（ACE Solution）攜手美商泰瑞達（Teradyne）近日舉辦年度壓軸「化合物半導體與矽光子技術研討會」。本次活動由國立陽明交通大學、中原大學電子工程學系共同主辦，打造產官學交流平台 |
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貿澤與ADI合作全新電子書探索電子設計電源效率與耐用性 (2024.11.13)
貿澤電子（Mouser Electronics）與美商亞德諾（ADI）合作出版全新的電子書，重點介紹最佳化電源系統的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（為未來提供動力：實現效率和耐用性的進階電源解決方案）中，ADI和貿澤的主題專家針對電源系統中最重要的元件、架構和應用提供深入分析 |
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Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
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國科會新增10項核心關鍵技術 強化太空、量子、半導體領域保護 (2024.11.03)
為強化國家核心關鍵技術保護，避免國家安全、產業競爭力及經濟發展受損，國科會預告修正「國家核心關鍵技術項目及其技術主管機關」草案，新增10項太空、量子科技、半導體及能源領域之關鍵技術，預告期至11月15日止 |
