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筑波科技x美商泰瑞達分享交流化合物半導體材料與測試技術 (2024.04.18) 因應高效能運算和AI趨勢對於創新材料的需求,筑波科技攜手美商泰瑞達Teradyne於17日舉辦首場「化合物半導體材料與測試技術研討會」,此次研討會聚焦於各種測試挑戰與解決方案,邀請產官學界菁英分享如氧化鎵、石墨烯等新興材料應用,探究化合物半導體在矽光子的應用 |
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意法半導體突破20奈米技術屏障 提升新一代微控制器成本競爭力 (2024.03.28) 意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出了一項18奈米完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體(Fully Depleted Silicon On Insulator,FD-SOI)技術並整合嵌入式相變記憶體(ePCM)的先進製程,支援下一代嵌入式處理器進化升級 |
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機械產業白皮書勾勒10年藍圖 (2024.03.22) 面對近年國內外政經情勢快速演變,機械公會在今年初與工研院合作發表新版《台灣機械產業白皮書》,並勾勒出了2035年機械產業的發展情境及目標為:產值倍增突破3兆、附加價值率達到35%以上、與人均產值新台幣600萬元的10年藍圖 |
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高階晶片異常點無所遁形 C-AFM一針見內鬼 (2024.03.21) 從電性量測中發現晶片故障亮點,逐層觀察到底層仍抓不到異常?即使在電子顯微鏡(SEM)影像中偵測到異常電壓對比(VC)時,也無法得知異常點是發生在P接面還是N接面?本文為電性異常四大模式(開路、短路、漏電和高阻值)快速判讀大解析 |
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英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13) 英飛凌科技宣佈與 Worksport合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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以固態繼電器簡化高電壓應用中的絕緣監控設計 (2024.03.11) 快速準確偵測隔離中的故障,是強化使用者安全和降低災難性電力中斷所造成損害或火災的重要關鍵。 |
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台灣量子電腦關鍵元件再下一城 工研院成功自製低溫控制晶片 (2024.03.06) 僅成立兩年的台灣量子國家隊,今日再發表新的技術里程碑,由工研院與中研院的研究團隊,開發出控制量子位元的低溫控制晶片與模組,且功耗僅有國際大廠的50%。而此成果將為量子電腦的微型化帶來重大貢獻,同時也為台灣的量子電腦次系統關鍵元件製造,開啟全新的篇章 |
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具備超載保護USB 供電ISM無線通訊 (2024.02.28) 本文以具有超載保護功能的USB供電 433.92 MHz RF 低雜訊放大器接收器:CN0555為例,說明實際運作的特點及效率。 |
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台團隊實現二維材料鐵電電晶體 次世代記憶體內運算有望成真 (2024.02.21) 由臺灣師範大學物理系藍彥文教授與陸亭樺教授組成的聯合研究團隊,在鐵電材料領域取得了重大突破,開發出基於二維材料二硫化鉬的創新鐵電電晶體(ST-3R MoS2 FeS-FET),厚度僅有1 |
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imec總裁:2023是AI關鍵年 快速影響每個人 (2024.02.19) 歷史每天都在開展,唯有時間流逝才會顯現出事件帶來的真正影響,而2023年是不凡的一年。隨著人工智慧竄起,如今變得人人唾手可得,2023年無疑是新紀元的開端。 |
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英飛凌與安克成立創新應用中心 合作開發PD快充與節能方案 (2024.01.26) 隨著行動裝置、筆記型電腦和電池供電設備的不斷增加,消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。英飛凌科技(infineon)近日宣佈與安克創新(Anker Innovations)在深圳聯合成立創新應用中心 |
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聯電和英特爾宣布合作開發12奈米製程平台 (2024.01.26) 為了追求具成本效益的產能擴張,以及關鍵技術節點升級策略,擴展供應鏈的韌性。聯華電子和英特爾共同宣佈,雙方將合作開發12奈米FinFET製程平台,以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長 |
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台灣研究團隊開發雙模二維電子元件 突破矽晶圓物理限制 (2024.01.15) 在國科會「A世代前瞻半導體專案計畫」支持下,清華大學電子所蔡孟宇博士、研發長邱博文教授、中興大學物理系林彥甫教授和資工系吳俊霖教授等共同組成的研究團隊,成功開發出新穎的雙模式二維電子元件,不僅突破了傳統矽晶圓的物理限制,還為高效能計算和半導體製程簡化開啟了新的方向 |
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Nexperia新款LCD偏壓電源IC助顯示裝置提升高性能 (2024.01.12) 為滿足最新智慧手機及手持電子裝置對功耗和小尺寸的要求,Nexperia推出全新兩路輸出LCD偏壓電源系列產品,能夠為智慧手機、平板電腦、VR頭顯和LCD模組等應用的薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)面板延長壽命 |
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英飛凌全新 CoolMOS S7T系列整合溫度感測器性能 (2024.01.11) 英飛凌科技(Infineon)推出整合溫度感測器的全新 CoolMOS S7T 產品系列,具有出色的導通電阻和高精度嵌入式感測器,能夠提高功率電晶體接面溫度感測的精度,適用於提高固態繼電器(SSR)應用的性能和可靠性 |
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意法半導體碳化矽協助理想汽車加速進軍高壓純電動車市場 (2024.01.05) 意法半導體(STMicroelectronics,ST)與中國新能源汽車商理想汽車簽立一項碳化矽(SiC)長期供貨協議,而意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET,支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略 |
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適用於整合太陽能和儲能系統的轉換器拓撲結構 (2023.12.27) 許多住宅使用的是組合太陽能發電和電池儲能系統,這種類型的系統具有用於AC/DC和DC/DC轉換的高效電源管理元件和高功率密度,但需要在子區塊的電源轉換拓撲上取捨,本文說明不同轉換器拓撲結構的優點和挑戰 |
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鎖定5G先進基地台及行動裝置應用 imec展示高效能矽基氮化鎵 (2023.12.14) 於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議(IEDM)上,比利時微電子研究中心(imec)發表了在8吋矽晶圓上製造的氮化鋁(AlN)/氮化鎵(GaN)金屬—絕緣體—半導體(MIS)高電子遷移率電晶體(HEMT),該元件能在28GHz的操作頻率下展現高輸出功率及能源效率 |
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EV GROUP將革命性薄膜轉移技術投入量產 (2023.12.12) EV Group(EVG)宣布推出EVG 850 NanoCleave薄膜剝離系統,這是首款採用EVG革命性NanoCleave技術的產品平台。EVG850 NanoCleave系統使用紅外線(IR)雷射搭配特殊的無機物材質,在透過實際驗證且可供量產(HVM)的平台上,以奈米精度讓已完成鍵合、沉積或增長的薄膜從矽載具基板釋放 |
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英特爾下世代電晶體微縮技術突破 鎖定應用於未來製程節點 (2023.12.12) 英特爾公開多項技術突破,為公司未來的製程藍圖保留了創新發展,凸顯摩爾定律的延續和進化。在今年 IEEE 國際電子元件會議(IEDM)上,英特爾研究人員展示了結合晶片背部供電和直接背部接觸的3D堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導體)電晶體的最新進展 |