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Littelfuse新款低側柵極驅動器適用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低側SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器IX4352NE，這款創新的驅動器專門設計用於驅動工業應用中的碳化矽（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極電晶體（IGBT）。IX4352NE的主要優勢在於其獨立的9A拉/灌電流輸出，支援量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低 |
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Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性 |
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【COMPUTEX】台達「解密Cloud to Edge AI」展出電源散熱基礎方案 (2024.06.05)
台達今（5）日於台北國際電腦展（COMPUTEX TAIPEI 2024）聚焦AI人工智慧，以「解密 Cloud to Edge AI」為主題，全方位展出涵蓋雲端到邊緣的資料中心基礎設施方案，以及應用於AI運算及終端設備的高效電源、散熱、被動元件等領先技術，包含多款首次亮相的AI伺服器電源及液冷散熱方案、領先全球的晶片垂直供電技術等，持續驅動AI產業發展 |
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高頻寬電源模組消除高壓線路紋波抑制干擾 (2024.04.26)
車廠從內燃機向純電動汽車轉型的過程中所面臨的一大挑戰，就是如何找到更好的解決方案來解決新舊電源的難題。對於實現高效的電磁干擾濾波，軟開關拓撲的高開關頻率至關重要 |
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低 IQ技術無需犧牲系統性能即可延長電池續航力 (2024.04.17)
由於電池製造的功率需求帶來全新且複雜的限制，使得現今電池續航力必須具備最長的運作時間與更長的保存壽命，且無需犧牲系統性能。 |
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P通道功率MOSFET及其應用 (2024.04.17)
本文透過對N通道和P通道MOSFET進行比較，並介紹說明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目標應用。 |
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ROHM推SOT23封裝小型節能DC-DC轉換器IC 助電源小型化 (2024.03.28)
半導體製造商ROHM針對冰箱、洗衣機、PLC、逆變器等消費性電子和工業設備應用，開發出4款小型DC-DC轉換器IC「BD9E105FP4-Z / BD9E202FP4-Z / BD9E304FP4-LBZ / BD9A201FP4-LBZ」。另外ROHM還計畫推出最大輸出電流2A、開關頻率350kHz的BD9E203FP4-Z，進一步擴大產品陣容 |
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以霍爾效應電流感測器創新簡化高電壓感測 (2024.03.27)
在電動車（EV）充電和太陽能逆變器系統中，電流感測器會透過監測分流電阻器中的壓降，或是流過導體電流所產生的磁場來量測電流。這些高壓系統使用電流資訊來控制與監測電源轉換、充電與放電 |
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瑞薩新款通用32位元RISC-V MCU採用自研CPU核心 (2024.03.26)
最近許多微控制器供應商都加入RISC-V聯盟以促進產品的開發，瑞薩電子（Renesas Electronics）推出首款基於自研核心的RISC-V通用微控制器（MCU）。瑞薩已獨立設計並測試新的RISC-V核心，現已完成商業化產品並在全球推廣 |
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台達於NVIDIA GTC展示數位孿生應用 兼顧高效AI伺服器電源需求 (2024.03.22)
台達近日於參加NVIDIA GTC AI大會期間，除了發表利用NVIDIA Omniverse所開發的創新數位孿生平台，可持續提升智能製造實力。同時展示旗下ORV3 AI伺服器基礎設施解決方案，包括效率高達97.5%的電源供應器；可協助GPU運行的一系列關鍵產品，包括DC/DC轉換器、功率電感（Power choke）和3D Vapor Chamber散熱解決方案等 |
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意法半導體智慧致動器STSPIN參考設計 整合馬達控制、感測器和邊緣AI (2024.02.21)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出搭載STSPIN32G4智慧三相馬達驅動器的EVLSPIN32G4-ACT邊緣AI馬達驅動參考設計，使智慧致動器的開發變得更加簡單。該電路板與意法半導體的無線工業感測器節點STWIN.box（STEVAL-STWINBX1）連接，加速結合馬達控制、環境資料即時分析，以及物聯網連接系統的開發 |
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電源模組在過渡到48V 區域架構提供決定性優勢 (2024.02.06)
xEV應用的48V電源架構、zonal架構、模組化方法、以及48V電源架構的電氣化挑戰。 |
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ROHM推出100V耐壓SBD「YQ系列」 採用溝槽MOS結構 (2024.01.31)
半導體製造商ROHM針對車載設備、工業設備、消費性電子設備等電源電路和保護電路，推出業界最高等級trr的100V耐壓蕭特基二極體（SBD）「YQ系列」。
二極體的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用於各種應用 |
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適用於整合太陽能和儲能系統的轉換器拓撲結構 (2023.12.27)
許多住宅使用的是組合太陽能發電和電池儲能系統，這種類型的系統具有用於AC/DC和DC/DC轉換的高效電源管理元件和高功率密度，但需要在子區塊的電源轉換拓撲上取捨，本文說明不同轉換器拓撲結構的優點和挑戰 |
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拋離傳統驅動概念 加速下一代EV車的開發 (2023.12.26)
電動車越來越多地採用E軸三合一裝置，將馬達、逆變器和齒輪整合在一起，以實現車輛更小、更輕、成本更低，同時提高車輛性能。因此愈來愈多的汽車業者，開發出了基於X-in-1單元的多功能平台，並大量的應用於多款車型 |
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Nordic Semiconductor量產高整合nPM1300 PMIC (2023.12.19)
Nordic Semiconductor宣佈客戶現可於Nordic分銷網路大量採購最新發佈的nPM1300電源管理積體電路（PMIC）產品。nPM1300目前採用方形扁平無引腳封裝（QFN），即將推出晶片級封裝（CSP） |
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高密度電源模組可實現減少重量和功耗的 48V系統 (2023.12.14)
採用傳統銀盒和分立式元件的12V集中式架構需要升級到48V分散式架構，以最佳化電動汽車的供電網路和散熱管理系統。分散式架構可將每年的行駛里程增加 4000 英里，也可用於實現額外的安全或電子功能 |
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創新模組化電源系統設計提升騎乘動感體驗 (2023.11.20)
Lightning Motorcycles公司以超過215英里的時速行駛，保持著電動摩托車的極速駕駛世界紀錄。 |
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頂部散熱MOSFET助提高汽車系統設計的功率密度 (2023.11.20)
本文討論頂部散熱（TSC）作為一種創新的元件封裝技術能夠如何幫助解決多餘熱量的散熱問題，從而在更小、更輕的汽車中實現更高的功率密度。 |
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Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
