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高階晶片異常點無所遁形 C-AFM一針見內鬼 (2024.03.21)
從電性量測中發現晶片故障亮點，逐層觀察到底層仍抓不到異常？即使在電子顯微鏡（SEM）影像中偵測到異常電壓對比（VC）時，也無法得知異常點是發生在P接面還是N接面？本文為電性異常四大模式（開路、短路、漏電和高阻值）快速判讀大解析 |
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自走式電器上的電池放電保護 (2023.11.26)
使用MOSFET作為理想二極體，能夠為新一代自動化電器提供穩健可靠的安全防護。 |
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ROHM推出LiDAR用120W高輸出功率雷射二極體 (2023.10.31)
半導體製造商ROHM推出一款高輸出功率半導體雷射二極體「RLD90QZW8」， 非常適用於搭載測距和空間識別用LiDAR的工控設備領域的AGV（Automated Guided Vehicle/無人搬運車） 和服務機器人、消費性電子領域的掃地機器人等應用 |
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Littelfuse新型汽車級400 W瞬態抑制二極體採用表面貼裝式封裝 (2023.08.15)
汽車電子產品的數量和複雜程度不斷增加，而所有相關元件都需要針對高電壓、高能瞬態的保護力。工業技術製造公司Littelfuse推出新型SZSMF4L 400 W瞬態抑制二極體系列。
SZSMF4L瞬態抑制二極體具有快速回應時間、低齊納阻抗、高浪湧處理能力和出色的鉗位能力，可為這些敏感系統提供保護；其低洩漏電流同時也能夠保護感測器 |
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安立知為光譜分析儀MS9740B 增強高功率雷射二極體測量功能 (2023.07.26)
Anritsu 安立知為其光譜分析儀 MS9740B 推出新的測量功能 (MS9740B-020)，使用脈衝模式評估雷射二極體 (Laser Diode，LD) 晶片。此全新解決方案縮短了高功率 LD 晶片的測試時間，有助於提升其生產效率 |
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特殊設計與背板巨量轉移 將是MicroLED產業新研發方向 (2023.01.30)
本次東西講座特別邀請錼創顯示科技先進技術開發處副處長吳志凌擔任講者，分享Micro LED的技術原理與未來應用。 |
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雷射銲接溯源擴大應用 (2022.12.25)
造就其中核心的光纖/半導體雷射源及模組架構不斷推陳出新。但台廠技術能量與成本競爭力仍有落差，如今則可望迎接國際節能減碳的潮流而帶來轉機。 |
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Diode推出雙向電流顯示器 以低成本BoM達高精準量測 (2022.08.04)
Diodes公司今日宣佈推出一系列採用高穩定性零點漂移架構的雙向電流顯示器。這些裝置能夠在廣泛的共模電壓範圍內準確測量極低感測電壓。主要產品應用項目包括筆記型電腦、電池充電器、工業伺服裝置、伺服器、伺服器農場中的電源機架和機器人系統 |
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HOLTEK推出2-shunt FOC BLDC SoC MCU--HT32F65540G (2022.07.04)
盛群（Holtek）推出新一代Arm Cortex-M0+無刷直流馬達控制專用整合型微控制器HT32F65540G，整合MCU、LDO及三相48V Gate-driver，非常適合小PCB空間採用2-shunt FOC的產品，如空氣清淨機、DC落地扇、排氣扇、管道風扇、及相關訴求靜音效果的產品應用 |
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HOLTEK推出1-shunt FOC BLDC SoC MCU--HT32F65532G (2022.06.29)
盛群半導體（Holtek）推出新一代Arm Cortex-M0+無刷直流馬達控制專用整合型微控制器HT32F65532G，整合MCU、LDO及三相48V Gate-driver，適合小PCB空間採用1-Shunt FOC及方波Sensorless的產品應用，如手持吸塵器、低壓吊扇、電動滑板車、電動自行車、泵類及扇類產品等 |
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新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。 |
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大聯大友尚推出Diode 130W ACF氮化鎵NB PD電源適配器方案 (2022.04.19)
大聯大控股宣佈，其旗下友尚推出基於達爾科技（Diodes）AP3306、APR340與AP43771V等晶片的130W ACF氮化鎵NB PD電源適配器方案。
手機、平板、筆記本等便攜式電子產品的技術迭代正不斷超乎人們想像，而其中最顛覆的技術之一莫過於快充技術 |
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中美矽晶佈局化合物半導體 成功開發各尺寸晶圓產品 (2021.12.22)
中美矽晶集團積極發展化合物半導體，如碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰及鈮酸鋰等。在本屆的國際光電大展中，中美矽晶集團攜手旗下半導體子公司環球晶圓及轉投資事業 |
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Littelfuse新增1700 V碳化矽蕭特基阻障二極體提供更快和低損耗開關 (2021.08.17)
Littelfuse公司今（17）日宣佈擴充其碳化矽（SiC）二極體產品組合，新增1700 V級產品適用於資料中心、建築物自動化和其他高功率電子應用。LSIC2SD170Bxx系列碳化矽蕭特基二極體採用TO-247-2L封裝，可選擇額定電流10A、25A或50A |
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ROHM推出600V耐壓IGBT IPM 兼具出色降噪和低損耗特性 (2021.04.29)
半導體製造商ROHM推出四款兼具出色降噪性和低損耗性的600V耐壓IGBT IPM（Intelligent Power Module）「BM6437x系列」，該系列產品可內建於生活家電（如空調、洗衣機等）和小型工控裝置（如工控機器人的小容量馬達等）中，非常適用於各種變頻器的功率轉換 |
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電源元件市場高成長 激化品牌創新與縱橫合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧運算與無線互聯的科技願景當前，尋獲最適的新興材料、元件架構與系統設計，成為全球電源元件供應大廠爭相追求的火種—迸發創新的束束火光，已然在全球前沿電力電子市場發散熱力 |
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顯示器產業的數位轉型思考 (2020.11.10)
現今對顯示器產業數位轉型的瞭解，需要用數位化的方式，基於模型去承載和定義產品相關的所有知識，也就是建立產品的數位雙生。 |
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ST全新多合一多區ToF感測器模組 實現64倍測距區的性能升級 (2020.11.04)
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）宣布擴大其FlightSense 飛行時間（Time-of-Flight；ToF）感測器產品組合陣容，推出全新64區測距感測器。該多區感測器可將場景劃分成若干個區域，提升成像系統更多情境的空間資訊 |
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Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET That Contributes to High-efficiency Power Supply (2020.10.19)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched “TW070J120B,” a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for industrial applications that include large capacity power supply. Shipments start today.
The power MOSFET using the SiC, a new material, achieves high voltage resistance, high-speed switching, and low On-resistance compared to conventional silicon (Si) MOSFET, IGBT products |
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泓格推出隔離型多埠串列設備服務器 實現序列設備快速連網 (2020.10.07)
泓格DS-2200i系列設備服務器，常被用來當作序列設備連網的途徑，將原來無法上網的RS-232/422/485設備也能夠連結至網路。使用者可透過VxComm Driver/Utility友善的設定，透過簡單的幾個步驟，便可將DS-2200i內嵌的COM Port模擬成為電腦主機的標準COM Port |
