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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展，從而實現更高的效能和更小的尺寸，並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。 |
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ROHM推出5款全新超低導通電阻100V耐壓Dual MOSFET (2023.08.22)
近年來，在通訊基地台和工控設備的應用領域，為了降低電流值並提高效率，以往的12V和24V系統逐漸轉換為48V系統，電源電壓呈提高趨勢。半導體製造商ROHM針對通訊基地台和工控設備等風扇馬達驅動應用，推出將二顆100V耐壓MOSFET一體化封裝的Dual MOSFET新產品 |
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Magnachip擴展用於行動裝置電池保護電路的新型MXT LV MOSFET (2023.07.11)
Magnachip半導體發布四款新型 MXT LV 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）採用超短通道技術，擴展 Magnachip 用於行動裝置電池保護電路的第七代 MXT LV MOSFET 產品陣容。
超短溝道是Magnachip的最新設計技術，通過縮短源極和漏極之間的溝道長度來降低Ron（MOSFET在導通狀態操作期間的電阻） |
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英飛凌針對汽車應用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飛凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作為最新一代適合汽車應用的功率MOSFET，提供多種無引腳、強固的功率封裝。該系列產品採用了300毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比於其它採用微型封裝的元件，具有顯著的性能優勢 |
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英飛凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飛凌推出全新CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列，為950 V超接面（SJ）技術樹立新標竿。全新950 V系列具有出色的效能與易用性，採用整合的快速二極體，確保元件堅固耐用，同時降低了BOM（物料清單）成本 |
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認識線性功率MOSFET (2022.10.18)
本文針對MOSFET的運作模式，元件方案，以及其應用範例進行說明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優勢，與方案選擇的應用思考。 |
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ROHM推出600V耐壓SuperJunction MOSFET 實現超低導通電阻 (2022.04.13)
半導體製造商ROHM在600V耐壓SuperJunction MOSFET“PrestoMOS”產品系列中，新增了「R60xxVNx系列」七款機型，非常適用於電動車充電樁、伺服器、基地台等大功率工控裝置的電源電路、以及空調等因節能趨勢而採用變頻技術的大型生活家電的馬達驅動 |
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英飛凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展現極高系統可靠性 (2022.04.01)
英飛凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。
這些SiC元件採用英飛凌先進的SiC溝槽式工藝、精簡的D2PAK表面貼裝 7 引腳封裝和 |
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ROHM推出超低導通電阻Dual MOSFET 適用於工控裝置和基地台馬達驅動 (2021.07.01)
半導體製造商ROHM開發出適用於FA等工控裝置和基地台（冷卻風扇）24V馬達驅動用內建二顆耐壓±40V和±60V的Dual MOSFET「QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch）」。
近年來，為了支援工控裝置和基地台馬達所使用的24V輸入，驅動元件MOSFET需要考慮到電壓變動所需的餘裕度，所以要求要40V和60V的耐壓能力 |
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安森美全新650V碳化矽MOSFET系列 滿足車規與工規應用需求 (2021.02.18)
安森美半導體(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET裝置，適用於對功率密度、能效和可靠性要求極高的應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術，將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺服器電源(PSU)、電信和不斷電供應系統(UPS)等應用中實現顯著的更佳性能 |
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英飛凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 採用高壓SMD封裝 (2020.06.08)
繼今年稍早推出的650V產品後，英飛凌科技擴充旗下CoolSiC MOSFET系列電壓等級，現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的1700V電壓等級產品。新款1700V表面黏著裝置(SMD)產品充分發揮了碳化矽(SiC)強大的物理特性，提供優異的可靠性和低切換及導通損耗 |
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安森美半導體推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增長應用 (2020.03.11)
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出另兩個碳化矽(SiC)MOSFET系列，擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。這些新元件適用於各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站，提供的性能水準是矽(Si)MOSFET根本無法實現的 |
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英飛凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列：具備優異的RDS(on)與切換效能 (2019.03.21)
英飛凌科技推出全新OptiMOS 6系列，為分立式功率MOSFET技術奠定新技術標準。新產品系列採用英飛凌薄晶圓技術，提供顯著的效能優勢，並涵蓋寬廣的電壓範圍。全新40 V MOSFET系列已針對SMPS的同步整流進行最佳化，適用於伺服器、桌上型電腦、無線充電器、快速充電器及ORing電路 |
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安森美半導體提供全面的雲端電源方案 (2018.08.23)
雲端電源是指傳輸、儲存及處理雲端數據設備的電源。在電信或傳輸應用中，雲端電源將為基帶單元及遠程無線電單元供電。在用於儲存及處理的伺服器機群中，大型不間斷電源（UPS）可以確保用戶在暫時斷電時仍能連接雲端 |
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英飛凌發表CoolSiC MOSFET產品 兼具高性能與可靠度 (2018.07.24)
德國半導體元件商英飛凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭載CoolSiC技術的MOSFET系列產品，透過其獨特的碳化矽 (SiC) 溝槽式 (Trench) 技術，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的電源解決方案 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促進電動車市場發展 (2018.06.26)
科銳旗下Wolfspeed於近日宣佈推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，為電動汽車動力傳動系統帶來性能突破。
這一開關元件能夠實現高電壓功率轉換，進一步鞏固Wolfspeed在電動汽車生態系統解決方案領域的領先地位 |
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美高森美瞄準工業和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款產品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及與之配合的1200 V SiC蕭特基阻障二極體(SBD)，進一步擴大旗下日益增長的 SiC 離散器件和模組產品組合 |
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東芝新一代600V平面MOSFET系列 結合高效率及低雜訊 (2018.01.22)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出「第九代π-MOS」，全新600V平面式MOSFET系列，量產出貨於即日起啟動。
第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計，與現有的第七代系列相比，其EMI雜訊峰值低5dB[1]，但同時又保持了相同水準效率 |
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Littelfuse碳化矽MOSFET可在電力電子應用實現超高速切換 (2017.10.20)
Littelfuse(利特)公司推出了首個碳化矽（SiC）MOSFET產品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導體產品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化矽技術開發公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導體行業的領軍企業再邁出堅定一步 |
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英飛凌全SiC模組開始量產 (2017.09.01)
更高效率、功率密度、更精巧的尺寸和更低的系統成本：這些都是碳化矽 (SiC) 電晶體的主要優點。英飛凌科技(Infineon) 於去年PCIM展會發表的全SiC模組EASY 1B產品進入量產。在今年德國紐倫堡PCIM展會上，英飛凌展示了其他1200 V CoolSiC MOSFET系列的模組平台和拓樸，將碳化矽技術的潛力發揮到全新境界 |
