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英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧(AI)處理器對功率的要求日益提高,伺服器電源(PSU)必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率,因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年,每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上
意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體(STMicroelectronics,ST),將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽(SiC)功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠,意法半導體將打造一個碳化矽產業園區,達成在同一個園區內全面垂直整合製造及量產碳化矽之願景
Littelfuse新款低側柵極驅動器適用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低側SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器IX4352NE,這款創新的驅動器專門設計用於驅動工業應用中的碳化矽(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極電晶體(IGBT)。IX4352NE的主要優勢在於其獨立的9A拉/灌電流輸出,支援量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低
Microchip全新車載充電器解決方案 支援車輛關鍵應用 (2024.06.11)
因應節能減碳排放的迫切需求,電池電動汽車(BEV)和插電式混合動力電動汽車(PHEV)市場持續增長。車載充電器是電動汽車的關鍵應用之一,將交流電轉換為直流電,為汽車高壓電池充電
Diodes新款高額定電流負載開關為數位 IC智慧供電 (2024.06.06)
Diodes 公司擴展DML30xx 智慧負載開關系列推出四款新產品:DML3008LFDS、DML3010ALFDS、DML3011ALFDS 與 DML3012LDC,可針對 0.5V 至 20V 的電源軌達成高電流 (10.5A 至 15A)電源域開關控制。透過這些元件的嵌入式功能,可以高效處理有關微控制器、顯示卡、ASIC、FPGA 與記憶體晶片供電的多樣需求
吉利汽車與ST簽署碳化矽長期供應協定 共同推動新能源汽車轉型 (2024.06.05)
意法半導體第三代SiC MOSFET協助吉利汽車集團純電車型提升電驅效能 全球半導體廠商意法半導體(STMicroelectronics;ST)與全球汽車及新能源汽車車商吉利汽車集團宣佈,雙方簽署碳化矽(SiC)元件長期供應協議,加速碳化矽元件的合作
TrendForce:美關稅壁壘加速轉單 台晶圓廠產能利用率上升 (2024.05.23)
繼美國白宮5月14日宣佈對中國大陸進口產品加徵關稅之後,其中決議在2025年前對大陸製造的半導體產品課徵高達50%關稅。依TrendForce觀察,此舉恐加速供應鏈出現轉單潮,台系晶圓代工廠產能利用率上升幅度優於預期
意法半導體推出靈活同步整流控制器 提升矽基或氮化鎵功率轉換器效能 (2024.05.14)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)新款SRK1004同步整流控制器降低採用矽基或GaN電晶體之功率轉換器的設計難度並提升轉換效能,目標應用包括工業電源、攜帶式裝置充電器和AC/DC轉接器
ROHM首創低功耗類比數位融合控制電源解決方案 (2024.05.09)
半導體製造商ROHM針對中小功率(30W~1kW級)的工業和消費性電子設備, 開始供應LogiCoA電源解決方案,將能以類比控制電源等級的低功耗和低成本,實現與全數位控制電源同等功能
2024.5(第390期)PCIe 6.0—高速數位傳輸 (2024.05.07)
AI對運算速度和數據處理有極高要求, PCIe在AI伺服器或AI PC將扮演關鍵。 PCIe 7.0優勢是更高的傳輸性能, 以及更佳的能源效率。 透過高速訊號測試設備, 能提供PCIe完整測試驗證
揮別續航里程焦慮 打造電動車最佳化充電策略 (2024.04.29)
隨著電動車持續發展,300英里成為標準,續航里程焦慮開始消散。 各國已制定不同的電動車標準,以因應不同的需求和應用。 透過實驗室模擬,才是驗證電動車和充電樁互通性的最佳方法
英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統(PV-ES)市場快速增長。光儲市場競爭加速,提高功率密度成為廠商得勝關鍵;英飛凌科技(Infineon)為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件,共同推動綠色能源發展
P通道功率MOSFET及其應用 (2024.04.17)
本文透過對N通道和P通道MOSFET進行比較,並介紹說明Littelfuse P通道功率MOSFET,以及探究其目標應用。
英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飛凌科技(Infineon)推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高,和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝
英飛淩全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列促進汽車和工業發展 (2024.03.29)
英飛凌科技(Infineon)推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET,以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級 SiC MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式(DAB)、HERIC、降壓/升壓和相移全橋(PSFB)拓撲結構進行了優化
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性 (2024.03.28)
英飛凌科技(Infineon)推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET產品系列,全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動堆高機等應用提供出色的性能。新款MOSFET產品的導通損耗和開關性能都更加優化,降低電磁干擾(EMI)和開關損耗,有益於用於伺服器、電信、儲能系統(ESS)、音訊、太陽能等用途的各種開關應用
ST碳化矽數位電源方案被肯微科技採用於高效伺服器電源供應器 (2024.03.22)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)與高效能電源供應領導廠商肯微科技合作,設計及研發使用ST領先業界的碳化矽(SiC)、電氣隔離和微控制器的伺服器電源參考設計技術
48 V低速電動車參考設計 微型交通技術加速發展 (2024.03.22)
許多國家致力於實現氣候目標,促使城市交通實現零排放。除了乘用汽車的電氣化之外,低速電動車也能做出重要貢獻。
英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飛凌科技(Infineon)推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V裝置,除了能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求,即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求,也能夠維持系統的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率
Microchip新型整合馬達驅動器整合控制器、柵極驅動器和通信效能 (2024.02.27)
Microchip推出基於 dsPIC 數位訊號控制器(DSC)的新型整合馬達驅動器系列,能夠在空間受限的應用中實現高效、即時的嵌入式馬達控制系統。該系列元件在一個封裝中整合dsPIC33 數位訊號控制器(DSC)、一個三相MOSFET柵極驅動器和可選LIN 或 CAN FD 收發器


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6 英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效
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