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讨论新闻主题﹕富士通开发全新FRAM具有4 Mbit记忆容量

新闻 提要
香港商富士通亚太电子有限公司台湾分公司宣布，富士通成功开发具有4 Mbit记忆容量的全新FRAM（铁电随机存取记忆体）产品─MB85RQ4ML，此产品是以高速运算改善网路装置效能的非挥发性记忆体，于四线SPI介面非挥发性RAM市场中拥有高密度，并开始以样本量供货。 MB85RQ4ML采用单一1.8V电源供电，使用具有四个I/O pin的四线SPI介面，并能达到每秒54 MByte的资料传输速率。此产品具高速运算能力与非挥发性记忆体特性，因此适用于网路建置、RAID控制器及工业运算等领域。 富士通充分运用FRAM的非挥发性、高速读写周期、高读写耐用度及低功耗特性，为穿戴式市场及物联网市场带来使用FRAM的免电池解决方案

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