<
账号：
密码：

讨论新闻主题﹕意法半导体最新900V MOSFET提升反激式转换器之输出功效

新闻 提要
意法半导体（STMicroelectronics，ST）最新的900V MDmesh K5超接面MOSFET让电源设计人员能够满足更高功率和更高效的系统需求，其拥有同级最好的导通电阻（RDS(ON)）和动态特性。 900V崩溃电压确保在高汇流排电压系统应用下具有更高的安全系数。新系列产品含有第一个RDS(ON)导通电阻低于100m?的900V MOSFET，DPAK产品并提供工规最佳的RDS(ON) 阻抗。低栅电荷（Qg）特性确保更快的切换速度，在需要宽范围输入电压的应用领域，实现更大的配置灵活性。这些特性让标准、准谐振电路、主动钳位元设计等各种反激式转换器具有高效和可靠性，涵盖范围低至35W，高至230W的额定功率范围或最高

发表新主题
主题：
文章内容：
  确认码:  
  一般讨论区
一般讨论区
新闻报导论坛
Aktive besked forum
专栏评析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章论述论坛
软件应用论坛
产品应用论坛
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技术应用区
电子技术类：
计算机科技类：
网际科技类：
軟體資源類：
 
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 读者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw