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讨论新闻主题﹕力旺电子NeoMTP成功导入格芯130nm BCDLite及BCD制程平台

新闻 提要
力旺电子今日宣布,其嵌入式可多次编写(MTP)记忆体矽智财NeoMTP已成功导入格芯130nm BCD与BCDLite制程平台,专攻消费性及车用市场,以及日益增加的无线充电和USB Type C应用之需求。 力旺目前在格芯130nm BCD与BCDLite制程平台开发的NeoMTP矽智财皆符合车规验证标准AEC-Q100 Grade 1,并将进一步在已验证之平台布局升级版的二代NeoMTP,於不同的平台分别提供符合车规验证标准AEC-Q100 Grade 1与AEC-Q100 Grade 0之二代NeoMTP。 符合AEC-Q100 Grade 1之NeoMTP操作温度可达150。C,在温度区间(-40。C~150。C)编写达1,000次,并能在125。C的高温下维持10年以上的资料留存之优异性能,同时,其2.5V-5.5V优於一般工作范围的操作电压区间及低功耗、高速读取等特性,有利於客户在产品设计上具备弹性及竞争力,未来符合AEC-Q100 Grade 0之NeoMTP操作温度更可高达175

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