<
账号:
密码:

讨论新闻主题﹕英飞凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 采用高压SMD封装

新闻 提要
继今年稍早推出的650V产品後,英飞凌科技扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级,现在更新添具专属沟槽式半导体技术的1700V电压等级产品。新款1700V表面黏着装置(SMD)产品充分发挥了碳化矽(SiC)强大的物理特性,提供优异的可靠性和低切换及导通损耗。1700V CoolSiC MOSFET适用於三相转换系统的辅助电源供应器,例如:马达、再生能源、充电基础设施及HVDC系统等。 这类低功率应用通常在100W以下运作。在这些情况下,设计人员通常偏好采用单端返驰式拓扑。有了SMD封装的1700V CoolSiC MOSFET後,甚至能在输入电压高达1000VDC的直流连结连接辅助电路启用这种拓扑技术。使用单端返驰式转换器的辅助转换器具高效率和高可靠性,可建置於三相电源转换系统中,进而将尺寸缩到最小并减少物料清单

发表新主题
主题:
文章内容:
  确认码:  
  一般讨论区
一般讨论区
新闻报导论坛
Aktive besked forum
专栏评析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章论述论坛
软件应用论坛
产品应用论坛
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技术应用区
电子技术类:
计算机科技类:
网际科技类:
軟體資源類:
 
刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw