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讨论新闻主题﹕英飞凌TRENCHSTOP IGBT7技术推出TO-247封装

新闻 提要
英飞凌科技继推出EconoDUAL和Easy封装的TRENCHSTOP IGBT7技术之後，近日再宣布推出基於分立式封装，崩溃电压为650V的TO-247封装版本。 最新的TRENCHSTOP系列产品组合包含20A、30A、40A、50A和75A等级的额定电流，既可用於取代前代技术，也能与前代技术并行使用。该版本的IGBT7尤其适用於工业马达驱动、功率因数校正、太阳能光电和不断电系统等应用。 由於采用新型围沟槽技术，TRENCHSTOP IGBT7晶片的静态损耗大幅降低。在相同的电流等级下，TRENCHSTOP IGBT7的导通电压可降低10%。这使应用的损耗大幅降低，尤其是通常在中等开关频率下运作的工业驱动应用等。IGBT T7 技术具有非常低的饱和电压(VCE(sat) )，并与第7代射极控制二极体(EC7)共同封装，正向电压(VF)可降低150mV，同时还能提高反向恢复柔性

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