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讨论新闻主题﹕英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET 新添PQFN封装40V装置

新闻 提要
当代的电源系统设计需要高功率密度和精巧的外型尺寸，进而得到最高的系统级效能。英飞凌科技专注於强化元件级的系统创新，来应对上述挑战。继2月份推出25V装置後，英飞凌再推出OptiMOS 40V低电压功率MOSFET，采用源极底置(Source-Down；SD)的PQFN封装，尺寸为3.3 x 3.3mm2，适用於伺服器的SMPS、电信和OR-ing，还适用於电池保护、电动工具和充电器等应用。 英飞凌指出，SD封装的内部采用上下倒置的晶片，如此一来，源极电位(而非汲极电位)就能透过导热片连接至PCB。与现有技术相比，该封装最终可使RDS(on)锐减25%。 此外，与传统PQFN封装相比，接面与外壳间的热阻(RthJC)亦获得大幅改善

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