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讨论新闻主题﹕Microchip扩大氮化镓（GaN）射频功率元件产品组合

新闻 提要
Microchip今日宣布扩大其氮化镓（GaN）射频（RF）功率元件产品组合，推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波积体电路（MMIC）和分离电晶体。这些元件同时具备高功率附加效率（PAE）和高线性度，为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准。 新元件采用碳化矽基氮化镓技术制造，提供高功率密度和产量的组合，可在高压下运行，255℃接面温度下使用寿命超过100万小时，与所有Microchip 的GaN射频功率产品一致。这些产品包括覆盖2至18GHz、12至20GHz和12至20GHz的氮化镓MMIC，3dB压缩点（P3dB）射频输出功率高达20W，效率高达25%，以及用于S和X波段的裸晶和封装氮化镓MMIC放大器，PAE高达60%，以及覆盖直流至14 GHz的分离高电子迁移率电晶体（HEMT）元件，P3dB射频输出功率高达100W，最大效率为70%

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